本发明公开了一种具有网格结构的双极功率晶体管,包括：具有第一掺杂第二电阻和第二掺杂第一电阻的N型第一导电类集电极区域；具有网格式结构的N型第一导电类发射极区域；具有第三掺杂第四电阻和第四掺杂第三电阻的P型相反导电类基极区域；发射极区域覆盖连接基极区域多个单个的基极元件,集电极区域通过基极-集电极p-n结与基极区域相连接；第一掺杂杂质剂含量高于第二掺杂杂质剂含量,第三掺杂杂质剂含量高于第四掺杂杂质剂含量,第一电阻阻值大于第二电阻阻值,第三电阻阻值大于第四电阻阻值；集电极区域、基极区域和发射极区域分别通过欧姆接触和金属母线相连接；增加二次击穿耐性,降低基极-发射极饱和电压值,安全工作区域显著扩大。

本发明提供了一种高压双极晶体管,包括：N型硅衬底,并在所述N型硅衬底形成有源区和包含N型等电位环的场区；在所述场区的表面设置有氧化硅层,所述氧化硅层的外表面设置有半绝缘多晶硅层,所述半绝缘多晶硅层的外表面依次设置有第一氮化硅层、第一低熔点玻璃层、第二低熔点玻璃层、第二氮化硅层；在所述有源区的表面,设置有介电层,所述介电层的表面设置有第三氮化硅层；通过在半绝缘多晶硅层上设置第一氮化硅层、第一低熔点玻璃层、第二低熔点玻璃层、第二氮化硅层有效保护地半绝缘多晶硅层免受水分,同时,设置适当厚度的氧化硅层,保护硅表面免受这些污染物的侵害,最终,提高高压晶体管的产品良率。

本发明公开了一种耐二次击穿的功率双极晶体管,包括：集电极欧姆接触区设置在最底部,在集电极欧姆接触区上设置集电极P+区,在集电极P+区上设置集电极P-区；在集电极P-区上设置基极n区,在集电极P-区与基极n区之间形成集电极-基极p-n结区；在基极n区内设置发射极区,在基极n区与发射极区之间形成发射极-基极p-n结区；在基极n区上设置介电薄膜,在介电薄膜上间隔设置基极欧姆接触区及发射极欧姆接触区；在基极n区内从左至右还包括基极-集电极p-n结区、附加掺杂集电极区。增加功率双极晶体管对二次击穿的耐受能力,采用过电压保护阈值可调节的设计,减小器件的输出容量以得到功率双极晶体管结构简化,缩小功率双极晶体管的尺寸。