本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法,属于半导体微器件领域,包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜,以及位于各薄膜上表面的电极；制备方法包括：在带介质层的单晶硅衬底上表面制备遮挡层,旋涂包含硫元素和过渡金属元素的第一前驱体溶液；在所得样品的上表面旋涂光刻胶后去除遮挡层,在其上表面旋涂金属盐溶解于第一前驱体溶液形成的第二前驱体溶液,去除光刻胶；将所得样品在真空中进行激光辐照；在样品上表面制备金属电极,得到BJT。本发明使薄膜制备掺杂一步完成,解决现有二维材料BJT的制备工艺中薄膜易受损伤,影响器件性能的问题。

本发明公开了高温高压的钳位保护的器件结构及制造方法。高温高压的钳位保护的器件结构,包括重型掺磷衬底,重型掺磷衬底上方设有高阻区；高阻区的中央开设有主沟槽,主沟槽内形成结终端延伸区,结终端延伸区的右端底部开设有沟槽,沟槽内形成基区,基区内形成有发射区；高阻区的上方形成有氧化层；还包括左右设置的基区金属连接层以及发射区金属连接层,基区金属连接层与发射区金属连接层位于氧化层的上方,且基区金属连接层与基区短接,发射区金属连接层与发射区短接；还包括铝钳位保护结构,铝钳位保护结构与基区短接,且位于基区的外围。铝钳位保护可以将高温高压下的可动电荷屏蔽在基区主结外部,减小聚集的电荷对主结的影响。

本申请实施例涉及一种包含横向抑制二极管的双极晶体管。晶体管包含第一导电类型的射极(216a)、第二导电类型的基极(218a)、所述第一导电类型的集电极(214)及横向抑制二极管(250)的阴极(260)。所述射极安置于所述晶体管的顶部表面处且经配置以从外部源接收电流。所述基极经配置以将所述电流从所述集电极传导到所述射极。所述基极安置于所述晶体管的所述顶部表面处且横向地在所述射极与所述集电极之间。所述集电极经配置以从所述基极吸引并收集少数载流子。所述第一导电类型的所述阴极由所述基极环绕且安置于所述射极与所述集电极之间,且所述阴极经配置以抑制所述少数载流子从所述基极到所述集电极的横向流动。