一种晶匝管模块封装专用集成门极组件

本发明公开了一种晶匝管模块封装专用集成门极组件,包括铜底板和压板,所述铜底板的上端开设有两组螺孔,所述压板的倒角处开设有通孔,所述通孔的内部贯穿有螺杆,螺杆的上端设置有六角孔,便于螺杆进行拆卸,所述螺杆的下端贯穿通孔与螺孔螺纹连接,所述铜底板的上端位于两组螺孔的内侧分别设有底片组件,底片组件由铝片和氮化铝组成,铝片设在氮化铝的下端,铝片和氮化铝重叠设置,所述底片组件的上端设置有铜片组件。通过设置导套、弹簧、压板和孔洞,弹簧设在导套的内部,弹簧的顶端通过孔洞伸出,可以从顶部引线,封装起来更加的便捷,成本更为低下,操作也更加的方便,有利于自动化封装生产线的建立。

2021-11-02

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MOS控制晶闸管的制造方法及MOS控制晶闸管

本发明公开了一种MOS控制晶闸管的制造方法及MOS控制晶闸管,其中制造方法具体包括如下步骤：S100：采用离子注入工艺在衬底上形成第一JFET区域；S200：在衬底上生长EPI层；S300：采用离子注入工艺在EPI层上形成第二JFET区域；S400：采用扩散工艺使第二JFET区域与第一JFET区域连通；S500：进行栅极、重掺杂N型区、重掺杂P型区及阱区工艺,并完成正面工艺；S600：进行背面缓冲层、背面重掺杂层及漏极工艺,并完成背面工艺。根据上述技术方案的制造方法,简化了工艺流程,增加了工艺窗口,提高了器件的一致性。同时可以缩小JFET区域的横向尺寸,提高器件的性能。

2021-10-26

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非对称快速晶闸管

本发明涉及一种非对称快速晶闸管,由四层三端组成,四层分别为P1层、N1层、P2层、N2层,三端分别G端、K端、A端,结构上设有中心门极、放大门极、放大门极延伸枝条、阴极、台面、中心隔离槽、隔离槽,根据正反向阻断电压不同,设计了不同的P1层和P2层,由于P1层较薄,使晶闸管的通态压降降低,提高通流能力,使dv/dt和di/dt耐量提高,尤其指出的是,由于P1区较薄,电子可以直接穿透阳极结消失,使关断时间大大缩短,广泛应用于中频电力电子装置中,提高了装置的可靠性和稳定性。

2021-10-15

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用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件

本发明属于电力半导体器件领域,公开了一种用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件,缓冲区变掺杂结构设置于半导体器件内,当半导体器件承受击穿电压时,通过缓冲区变掺杂结构承受半导体器件产生的电场,使得电场击穿所述缓冲区变掺杂结构。本发明采用局部穿通原理实现过压可控击穿,具有温度稳定性好、工艺易实现、击穿电压一致性好、穿通点位置可控的优势。

2021-09-28

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一种用于ESD防护的双向双回滞SCR器件及设备

本发明公开了一种用于ESD防护的双向双回滞SCR器件及设备。SCR器件包括：N型外延、第一P阱区、第二P阱区、第一N+接触区、第二N+接触区、第一二极管及第一电极；第一P阱区与第二P阱区均位于N型外延上方,且第一P阱区与第二P阱区隔离设置,第一N+接触区位于第一P阱区内部上方,第二N+接触区与第一N+接触区隔离设置,且第二N+接触区部分位于第一P阱区及N型外延,第一二极管的负极连接第二N+接触区,第一二极管的正极连接第一电极。由于第二N+接触区及第一二极管,使得器件通过第一次弱回滞得到高维持电压,从而避免了闩锁现象,第二次强回滞得到低维持电压,从而降低了SCR器件的功耗,提高了SCR器件的鲁棒性。

2021-09-28

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一种具有寄生二极管的三维MOS栅控晶闸管及其制造方法

本发明属于功率半导体技术领域,具体的说是涉及一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明通过改进常MOS栅控晶闸管的器件结构,在栅极与阴极之间引入寄生二极管,当栅上电压较大时,使该电压通过寄生二极管的反向导通释放并将栅极-阴极的电势差钳位在比较低的范围。因此,本发明结构避免了MOS栅控晶闸管应用于脉冲功率领域时因栅介质击穿导致脉冲系统发生失效,以及静电放电时因栅介质击穿导致的器件失效的问题。

2021-09-24

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一种压控型发射极关断晶闸管器件及其制造方法

本发明属于功率半导体技术领域,具体的说涉及一种压控型发射极关断晶闸管及其制造方法。本发明通过设计双阴极的MCT器件结构,以及外部连接NMOS和二极管,实现了完全由单个栅极的电压控制的器件的开启和关断。因此,本发明结构避免了发射极关断晶闸管(ETO)由于有三个栅极,导致器件开启与关断时控制复杂,以及ETO导通时需要向GTO门极注入很强的电流触发脉冲,导致其驱动电路复杂和体积庞大的问题。

2021-09-24

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一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件

本发明公开了基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件,包括衬底,衬底上形成n阱区和p阱区,n阱区的右侧与p阱区的左侧相连,n阱区上从左至右形成n阱接触n+区、p+区,p阱区上从左至右形成n+区、p阱接触p+区,n阱接触n+区接阳极电位,n+区接阴极电位,p阱接触p+区接阴极电位,p+区接阳极电位,n阱区的左上角形成第一隔离槽,n阱区上且位于n阱接触n+区和p+区之间形成第二隔离槽,n阱区和p阱区之间形成第三隔离槽,p阱区上且位于n+区和p阱接触p+区之间形成第四隔离槽,p阱区的右上角形成第五隔离槽,第三隔离槽中填充有凹槽,凹槽接阳极电位。本发明防护器件具有维持电压高、触发电压低的特点。

2021-09-21

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一种二极管触发的双向SCR器件

本发明公开了一种二极管触发的双向SCR器件,P型衬底上设有深N阱,在深N阱上依次设有第一P阱、N阱、第二P阱,第一P阱上表面开有沟槽一,第一P阱、N阱交界处开有沟槽二,N阱、第二P阱交界处开有沟槽三,第二P阱上表面开有沟槽四；沟槽一两边是第一P+注入区和第一N+注入区,沟槽二两边是第一N+注入区和第二N+注入区,沟槽三两边是第二N+注入区和第三N+注入区,沟槽四两边是第三N+注入区和第二P+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区与阳极相连,第三N+注入区、第二P+注入区与阴极相连；第二N+注入区通过二极管串DS0连接二极管D3、二极管D4。本发明SCR器件触发速度快。

2021-09-21

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可控硅结构

本申请提供的可控硅结构,涉及半导体技术领域。在本申请中,可控硅结构包括电极结构和半导体结构,电极结构与半导体结构电连接。半导体结构包括至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层。其中,至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层中的至少一层为目标半导体层,目标半导体层包括依次分布的掺杂浓度不同和/或掺杂元素不同的多个子区域。基于上述结构设计,可以改善现有的可控硅结构中存在的动态特性不佳的问题。

2021-09-17

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