本发明提供一种能够增大源漏间电流的真空沟道场效应晶体管及其制造方法以及半导体装置。真空沟道场效应晶体管(100)具有：设置在p型半导体基板(1)上的第一绝缘膜(2)、设置在第一绝缘膜(2)上的栅极(3)、设置在栅极(3)上的第二绝缘膜(4)、设置在第二绝缘膜(4)上的漏极(7)、以及在p型半导体基板(1)的表面上与包括第一绝缘膜(2)、栅极(3)和第二绝缘膜(4)的侧面的侧壁相接而设置的n+杂质扩散层(6)。通过对n+杂质扩散层(6)、栅极(3)和漏极(7)施加规定的电压,从而使得n+杂质扩散层(6)的电荷载流子在面向侧壁的真空中或空气中向漏极(7)移动,由此能够使源漏间的电流增大。