本发明公开了一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法,针对现有技术中如何解决器件反向耐压和导通电阻之间的矛盾提出本方案。主要特点在氧化镓漂移层上端面铺设超结P型掺杂层,使得超结P型掺杂层与氧化镓漂移层构成超结结构。优点在于,通过在氧化镓功率晶体管引入p型氧化物半导体形成异质pn结的超结结构,利用超结的耗尽作用改善关态时器件漂移区的电场分布,从而实现漂移区的全耗尽,大幅度提升器件反向耐压；另一方面,可以通过比例的增加氧化镓漂移层和超结P型掺杂层的掺杂浓度,在保持高反向耐压的同时显著降低器件导通电阻。此外,该方法巧妙的规避了氧化镓材料难以实现p型掺杂的局限,制备工艺简单可靠。

本发明公开了一种异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法,主要解决现有隧穿场效应晶体管开态电流小和双极效应严重的问题。其包括源极、栅极、漏极、源区、沟道区和漏区,载流子通过源极进入沟道区并通过漏极离开沟道区,沟道区包括“一”部和“1”部,“1”部包括与“一”部连接的第一连接端,以及与第一连接端相对设置的第二连接端,第二连接端通过漏区连接漏极,“1”部的两侧设置有两个栅极,两个栅极与“1”部之间分别设置有两个第一异质介质,栅极和第一异质介质垂直于第二异质介质设置,且第一异质介质与第二异质介质的高度之和与“1”部相等,栅极与第一异质介质高度相等,“一”部两侧分别设置有两个源极。

本申请实施例提供了一种片上三极管及其制造方法、集成电路,其中片上三极管可以包括衬底上的电子源,电子源上方的栅极层,以及栅极层上方的阳极层,其中,栅极层中具有可以与电子源正对的栅极通道,栅极通道纵向贯穿栅极层,这样电子源产生的电子可以通过栅极通道发射到阳极层,控制栅极层的电压可以对通过栅极通道的电子的数量进行控制。由于片上三极管具有片上化的特征,可以采用微加工的方法制备,缩小了三极管的尺寸,降低了功耗,提高了集成度,降低了成本。

本发明提供一种高压JFET器件,包括p型衬底、n型漂移区、p型体区、p～(+)区、第一p型降场层、第二p型降场层、n～(+)有源区、n～(+)漏区、场氧化层、n型漂移区、多晶硅栅；n型漂移区内部表面n～(+)源区和p型体区之间包括多个可变掺杂区,多个可变掺杂区沿Y方向、或者X方向交替分布,相邻可变掺杂区之间为p型衬底,可变掺杂区为条形或块状；本发明在器件尺寸不变的前提下,在JFET中引入了一个稀释电阻区域,以减轻空间电荷调制效应,从而增大器件的开态击穿电压。

本发明提供一种垂直型JFET器件及其制备方法,形成了贯穿第一导电类型体区、第二导电类型体区,且与第一导电类型外延层相接触的第一导电类型沟道区,从而通过第一导电类型沟道区,可精确的优化垂直型JFET器件的沟道区宽度,以在缩小垂直型JFET器件面积的同时,可以调整垂直型JFET器件的夹断电压,以进一步提高器件的集成度和设计的灵活性。

本发明公开了一种场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法,该场效应管包括场效应管本体,其中,所述场效应管本体采用二氧化钒材料形成且其中掺杂有氢离子；栅极,所述栅极设于所述场效应管本体的上端面；源极以及漏极,所述源极设于所述场效应管本体的第一侧面,所述漏极设于所述场效应管本体的第二侧面,其中,所述第二侧面与所述第一侧面相对。本发明中的场效应管具有开关比更高、开关速度更快、功耗更低的优势,利于推动半导体器件的发展。

本发明的互补式开关元件具有具备第一导电型的沟道的第一TFET和具备第二导电型的沟道的第二TFET。第一TFET及第二TFET各自具有：掺杂为第一导电型的IV族半导体基板；配置于IV族半导体基板上的由III-V族化合物半导体构成的纳米线；与IV族半导体基板连接的第一电极；与纳米线连接的第二电极；以及向IV族半导体基板与纳米线之间的界面施加电场的栅极电极。纳米线包含与IV族半导体基板连接的第一区域和掺杂为第二导电型的第二区域。第一TFET中,第二电极为源极电极,且第一电极为漏极电极。第二TFET中,第一电极为源极电极,且第二电极为漏极电极。

本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法,包括以下过程,在P型硅衬底形成P型外延层,在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入,形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层上进行光刻形成漂移区,在漂移区上进行N型注入,形成N型掺杂区；在漂移区上通过光刻形成源漏区,再进行N型注入,形成N型掺杂区；在漂移区上进行光刻形成栅区；所述栅区贯穿漂移区,并延伸至P型外延层,在栅区中进行多次P型注入并退火,形成P型掺杂区；在漂移区内形成源极电极和漏极电极；在表面形成钝化层；在P型硅衬底的背面形成栅极电极后,完成抗辐照结型场效应晶体管。