本发明公开了一种快恢复二极管结构,包括自下而上层叠的下金属层、衬底、外延层、场氧化层及上金属层。所述外延层的导电类型与所述衬底相同,所述外延层上部形成阳极阱区、场限环及截止环,所述阳极阱区的导电类型与所述外延层相反,用于构成快恢复二极管结构的有源区,所述场限环与所述外延层的导电类型相反,用于构成快恢复二极管结构的终端耐压区,所述截止环的导电类型与所述阳极阱区及所述场限环的导电类型相同,用于截止耗尽层向外展宽,并隔离外界杂质离子。本发明还公开了一种快恢复二极管结构的制造方法,能够减少了光刻次数,节省制造成本,同时芯片可靠性更高。

本发明公开了一种二极管自动装管子套帽压帽一体机,设置有加工台,所述加工台的上端面固定有支撑座,且支撑座的上方设置有二极管；包括：连接管,其两端分别与相邻2个所述支撑座相连接,所述支撑座的内部开设有传输通道；固定管,固定贯穿于所述加工台的内部,所述加工台的下端面固定有固定盒,所述调节杆的顶部连接有阀板；通槽,开设在所述固定盒的底部；压帽机构,活动安装在所述加工台的上方,所述压帽机构的内部开设有固定腔,所述压帽机构的下端面固定有限位筒。该二极管自动装管子套帽压帽一体机,能够保证对二极管和封帽放置的稳定性,进而保证后续封帽过程中的精准性,避免出现零件位置偏移影响连接的现象。

本发明公开了一种基于P区和I区渐变掺杂的4H-SiC PIN二极管,主要解决现有技术无法实现低导通电阻和低结电容的问题。其自下而上包括n型衬底(1)、n+层(2)、i层(3)和p+层(4),衬底的下部设有阴极(5),p+层的上部设有阳极(6),阳极的上部设有钝化层(7),其中,所述i层(3)采用由n层组成的多层结构,且各层由掺杂浓度线性递减的4H-SiC半导体材料构成；所述p+层(4)采用由m层组成的多层结构,且各层由掺杂浓度线性增的4H-SiC半导体材料构成。本发明能同时实现低导通电阻与低零偏结电容,可加快PIN二极管的响应速度,提高截止频率,可作为微波二极管适用于微波限幅电路。

本发明提供了一种整流器,依次包括：第一电极、沟道区和第二电极；第一电极的材料包括二硫化钼；沟道区,包括二硫化钼层和石墨烯层,二硫化钼层一端与石墨烯层连接形成平面内异质结,另一端与第一电极接触,石墨烯层另一端与第二电极接触；第二电极的材料包括石墨烯。第一电极和第二电极与沟道区相连接,提供了电势差,电子由于电势差在第一电极和第二电极间传输,以产生电流。

一种功率二极管器件,其元胞结构包括：n型轻掺杂浓度的漂移区,所述n型轻掺杂浓度的漂移区的上部平面相接触的设有阳极结构,所述n型轻掺杂浓度的漂移区的下部平面相接触的设有阴极结构,所述阳极结构由至少一个p型重掺杂浓度的阳极区和至少一个的p型中等掺杂浓度的槽型阳极区构成,所述阴极结构由至少一个n型重掺杂浓度的阴极区和至少一个p型重掺杂浓度的阴极区构成,所述p型重掺杂浓度的阴极区与所述n型重掺杂浓度的阴极区通过第一背面槽型介质区以及第二背面槽型介质区相互隔离。本发明与普通PiN功率二极管相比,本发明提供的功率二极管能够降低反向恢复电荷以及提高反向恢复软度,消除反向恢复过程中的电流和电压的震荡。

本发明提供了一种双向TVS器件及其制备方法、电子设备,其中的隔离槽自外延层的表面延伸至所述衬底内,所述有源区形成于所述外延层的表面；所述隔离槽内填充有槽内多晶硅；其中,每个有源区分布于对应的两个隔离槽之间,且不同有源区分布于不同的两个隔离槽之间；两个隔离槽之间的外延层部分与所连接的一个有源区间形成第一PN结,两个隔离槽之间的外延层部分与所述衬底间形成第二PN结。

本发明涉及半导体分立器件制造技术领域,且公开了一种二极管引脚一次性挤压成型加工装置,包括操作台,所述操作台的表面设置有定位槽,所述定位槽的内部设置有加工件,所述操作台的表面滑动连接有模具组件,所述操作台的表面滑动连接有成型模块组件,所述操作台的下表面设置有驱动组件,该二极管引脚一次性挤压成型加工装置,通过推板与推杆的配合使用,成型模块组件与模具组件的配合使用,螺纹环座与成型模块二的配合使用,成型模块二与模具组件的配合使用,可对二极管加工件的引脚进行一次性挤压成型加工操作,二极管引脚的成型加工过程简单,成型加工操作方便,可有效提高二极管引脚成型加工的效率。

提出了一种垂直功率半导体器件(100)。该垂直功率半导体器件(100)包括半导体本体(102),其具有第一主表面(104)和沿着垂直方向(y)与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)。垂直功率半导体器件(100)还包括半导体本体(102)中的漂移区(108)。漂移区(108)包括铂原子(109)。垂直功率半导体器件(100)还包括漂移区(108)与第二主表面(106)之间的半导体本体(102)中的场停止区(110)。场停止区(110)包括多个杂质峰(P1、P2)。多个杂质峰(P1、P2)中的第一杂质峰(P1)具有比多个杂质峰(P1、P2)中的第二杂质峰(P2)更大的浓度(c)。第一杂质峰(P1)包括氢,而第二杂质峰(P2)包括氦。

目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性的技术。半导体装置是设置有半导体元件的半导体装置,具备：n型单晶氧化镓层,具有第一主面；电极,是半导体元件的电极,配设于n型单晶氧化镓层的第一主面上或第一主面上方；p型氧化物半导体层,配设于n型单晶氧化镓层与电极之间；以及非晶氧化镓层,配设于n型单晶氧化镓层与p型氧化物半导体层之间。

提供一种半导体装置,具备：半导体基板；晶体管部,其设置于所述半导体基板,且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区,在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部,其设置于所述半导体基板,且在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；发射电极,其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及保护膜,其至少一部分设置在发射电极的上方,所述阴极区在与所述半导体基板的上表面平行的面不与所述保护膜重叠。