本发明公开了一种二极管自动装管子套帽压帽一体机,设置有加工台,所述加工台的上端面固定有支撑座,且支撑座的上方设置有二极管；包括：连接管,其两端分别与相邻2个所述支撑座相连接,所述支撑座的内部开设有传输通道；固定管,固定贯穿于所述加工台的内部,所述加工台的下端面固定有固定盒,所述调节杆的顶部连接有阀板；通槽,开设在所述固定盒的底部；压帽机构,活动安装在所述加工台的上方,所述压帽机构的内部开设有固定腔,所述压帽机构的下端面固定有限位筒。该二极管自动装管子套帽压帽一体机,能够保证对二极管和封帽放置的稳定性,进而保证后续封帽过程中的精准性,避免出现零件位置偏移影响连接的现象。

本发明提供了一种整流器,依次包括：第一电极、沟道区和第二电极；第一电极的材料包括二硫化钼；沟道区,包括二硫化钼层和石墨烯层,二硫化钼层一端与石墨烯层连接形成平面内异质结,另一端与第一电极接触,石墨烯层另一端与第二电极接触；第二电极的材料包括石墨烯。第一电极和第二电极与沟道区相连接,提供了电势差,电子由于电势差在第一电极和第二电极间传输,以产生电流。

本发明提供了一种双向TVS器件及其制备方法、电子设备,其中的隔离槽自外延层的表面延伸至所述衬底内,所述有源区形成于所述外延层的表面；所述隔离槽内填充有槽内多晶硅；其中,每个有源区分布于对应的两个隔离槽之间,且不同有源区分布于不同的两个隔离槽之间；两个隔离槽之间的外延层部分与所连接的一个有源区间形成第一PN结,两个隔离槽之间的外延层部分与所述衬底间形成第二PN结。

本发明涉及半导体分立器件制造技术领域,且公开了一种二极管引脚一次性挤压成型加工装置,包括操作台,所述操作台的表面设置有定位槽,所述定位槽的内部设置有加工件,所述操作台的表面滑动连接有模具组件,所述操作台的表面滑动连接有成型模块组件,所述操作台的下表面设置有驱动组件,该二极管引脚一次性挤压成型加工装置,通过推板与推杆的配合使用,成型模块组件与模具组件的配合使用,螺纹环座与成型模块二的配合使用,成型模块二与模具组件的配合使用,可对二极管加工件的引脚进行一次性挤压成型加工操作,二极管引脚的成型加工过程简单,成型加工操作方便,可有效提高二极管引脚成型加工的效率。

提出了一种垂直功率半导体器件(100)。该垂直功率半导体器件(100)包括半导体本体(102),其具有第一主表面(104)和沿着垂直方向(y)与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)。垂直功率半导体器件(100)还包括半导体本体(102)中的漂移区(108)。漂移区(108)包括铂原子(109)。垂直功率半导体器件(100)还包括漂移区(108)与第二主表面(106)之间的半导体本体(102)中的场停止区(110)。场停止区(110)包括多个杂质峰(P1、P2)。多个杂质峰(P1、P2)中的第一杂质峰(P1)具有比多个杂质峰(P1、P2)中的第二杂质峰(P2)更大的浓度(c)。第一杂质峰(P1)包括氢,而第二杂质峰(P2)包括氦。

目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性的技术。半导体装置是设置有半导体元件的半导体装置,具备：n型单晶氧化镓层,具有第一主面；电极,是半导体元件的电极,配设于n型单晶氧化镓层的第一主面上或第一主面上方；p型氧化物半导体层,配设于n型单晶氧化镓层与电极之间；以及非晶氧化镓层,配设于n型单晶氧化镓层与p型氧化物半导体层之间。

提供一种半导体装置,具备：半导体基板；晶体管部,其设置于所述半导体基板,且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区,在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部,其设置于所述半导体基板,且在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；发射电极,其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及保护膜,其至少一部分设置在发射电极的上方,所述阴极区在与所述半导体基板的上表面平行的面不与所述保护膜重叠。

堆叠状的高阻断的III-V族半导体功率二极管和制造方法,III-V族半导体功率二极管具有高掺杂的第一半导体接通区、布置在第一半导体接通区下方的低掺杂的半导体漂移区、布置在半导体漂移区下方的高掺杂的第二半导体接通区和两个连接接通层,至少第一半导体接通区构造核心堆叠,核心堆叠沿侧面由电介质框架区域包围,核心堆叠的和电介质框架区域上侧或下侧彼此封闭或相对于彼此构造台阶,III-V族半导体功率二极管的布置在第一半导体接通区下方的半导体区域分别由核心堆叠包括或构造载体区域,其中,载体区域布置在核心堆叠和框架区域下方,并与由电介质框架区域的下侧和核心堆叠的下侧形成的共同下侧材料锁合地连接。

本发明公开一种具有失效分断功能的TVS防护器件,包括封装外壳,封装外壳的中心封装有包括双向芯片组,双向芯片组包括位于第一TVS芯片以及第二TVS芯片,第一TVS芯片焊接有第一基岛,第一基岛通过第一熔断接线连接第一引线架,第二TVS芯片焊接有第二基岛,第二基岛通过第二熔断接线连接第二引线架,第一熔断接线连接第一基岛与第一接线架,第二熔断接线连接第二基岛与第二接线架,第一熔断接线与第二熔断接线的最大通过容量略小于TVS芯片的烧毁能量,在通过TVS芯片的能量超出TVS芯片的承受力之前熔断断开电路,保证了本器件既不会出现短路失效模式也不会出现炸裂等危险情况,可靠性高,安全性好。

本发明公开一种TVS过压保护器件,包矩形塑壳,矩形塑壳内部形成安装腔,安装腔内设有芯片组,芯片组的上端以及下端分别焊接有上铜粒以及下铜粒,上铜粒的上表面焊接有连接架,安装腔内设有围绕芯片组与上铜粒以及下铜粒的组合体设置的导热壳,矩形塑壳的侧壁上具有若干通孔,通孔内匹配设有导热柱,导热柱与导热壳连接,矩形塑壳内设有灌封胶,灌封胶将芯片组、上铜粒、下铜粒、连接架、导热壳以及导热柱固定于矩形塑壳内,在塑壳内通过灌封胶固定设有导热壳以及导热柱,导热壳收集TVS芯片散发出的热量,并通过若干导热柱将热量导出塑壳散发到空气中,加快了TVS芯片工作时产生的热量的散发,降低了TVS芯片工作环境的温度,提高了适用寿命。