一种快恢复二极管结构及其制造方法

本发明公开了一种快恢复二极管结构,包括自下而上层叠的下金属层、衬底、外延层、场氧化层及上金属层。所述外延层的导电类型与所述衬底相同,所述外延层上部形成阳极阱区、场限环及截止环,所述阳极阱区的导电类型与所述外延层相反,用于构成快恢复二极管结构的有源区,所述场限环与所述外延层的导电类型相反,用于构成快恢复二极管结构的终端耐压区,所述截止环的导电类型与所述阳极阱区及所述场限环的导电类型相同,用于截止耗尽层向外展宽,并隔离外界杂质离子。本发明还公开了一种快恢复二极管结构的制造方法,能够减少了光刻次数,节省制造成本,同时芯片可靠性更高。

2021-11-02

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基于P区和I区渐变掺杂的4H-SiC PIN微波二极管及制作方法

本发明公开了一种基于P区和I区渐变掺杂的4H-SiC PIN二极管,主要解决现有技术无法实现低导通电阻和低结电容的问题。其自下而上包括n型衬底(1)、n+层(2)、i层(3)和p+层(4),衬底的下部设有阴极(5),p+层的上部设有阳极(6),阳极的上部设有钝化层(7),其中,所述i层(3)采用由n层组成的多层结构,且各层由掺杂浓度线性递减的4H-SiC半导体材料构成；所述p+层(4)采用由m层组成的多层结构,且各层由掺杂浓度线性增的4H-SiC半导体材料构成。本发明能同时实现低导通电阻与低零偏结电容,可加快PIN二极管的响应速度,提高截止频率,可作为微波二极管适用于微波限幅电路。

2021-10-26

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一种功率二极管器件

一种功率二极管器件,其元胞结构包括：n型轻掺杂浓度的漂移区,所述n型轻掺杂浓度的漂移区的上部平面相接触的设有阳极结构,所述n型轻掺杂浓度的漂移区的下部平面相接触的设有阴极结构,所述阳极结构由至少一个p型重掺杂浓度的阳极区和至少一个的p型中等掺杂浓度的槽型阳极区构成,所述阴极结构由至少一个n型重掺杂浓度的阴极区和至少一个p型重掺杂浓度的阴极区构成,所述p型重掺杂浓度的阴极区与所述n型重掺杂浓度的阴极区通过第一背面槽型介质区以及第二背面槽型介质区相互隔离。本发明与普通PiN功率二极管相比,本发明提供的功率二极管能够降低反向恢复电荷以及提高反向恢复软度,消除反向恢复过程中的电流和电压的震荡。

2021-10-26

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半导体装置

目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性的技术。半导体装置是设置有半导体元件的半导体装置,具备：n型单晶氧化镓层,具有第一主面；电极,是半导体元件的电极,配设于n型单晶氧化镓层的第一主面上或第一主面上方；p型氧化物半导体层,配设于n型单晶氧化镓层与电极之间；以及非晶氧化镓层,配设于n型单晶氧化镓层与p型氧化物半导体层之间。

2021-10-15

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半导体装置

提供一种半导体装置,具备：半导体基板；晶体管部,其设置于所述半导体基板,且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区,在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部,其设置于所述半导体基板,且在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；发射电极,其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及保护膜,其至少一部分设置在发射电极的上方,所述阴极区在与所述半导体基板的上表面平行的面不与所述保护膜重叠。

2021-10-15

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一种快恢复半导体器件及其制作方法

本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法,制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底,半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层,氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子,以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺,可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入,降低了少子寿命,从而改善了反向恢复特性,提高了软度因子,并降低了生产成本。

2021-10-12

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半导体装置

实施方式提供一种能够有效地降低恢复损耗的半导体装置,其具备半导体部、设于半导体部的背面上的第一电极、以及设于半导体部的表面上第二电极。半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及第二导电型的第三半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极之间延伸,第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间。第三半导体层设于第二半导体层与第二电极之间,包含浓度比第二半导体层的第二导电型杂质的浓度高的第二导电型杂质。第二电极从半导体部的表面延伸到第二半导体层中,并包含与第二半导体层相接的埋入接触部、以及与第三半导体层相接的表面接触部。

2021-10-12

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单片多本征区二极管开关

描述了多个单片多掷二极管开关。单片多掷二极管开关可以包括具有不同本征区的混合布置的二极管,所有二极管被形成在同一半导体衬底上方。在一个示例中,单片多掷二极管开关中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区,而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许针对薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管两者进行单独地优化。作为一个示例,对于在专用的发射/接收模式下运行的开关,第一发射PIN二极管可以具有比第二接收PIN二极管更厚的本征区,以使发射臂的功率处理最大化,以及最大化接收臂中的接收灵敏度和插入损耗。

2021-10-08

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具有直段阳极的二极管

描述了二极管结构和制造二极管结构的方法。在一个示例中,二极管结构是PIN二极管结构,并且包括形成在衬底上的N型层、形成在N型层上的本征层以及形成在本征层上的P型层。P型层形成二极管结构的阳极,并且阳极形成为四边形的阳极。根据实施方式,阳极的顶表面可以形成有一个或更多个直段,例如四边形阳极,以减小热阻或电导通电阻中的至少一个。这些变化等可以改进PIN二极管结构的整体功率处理能力。

2021-10-01

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半导体装置

半导体装置具备：第一电极、第二电极、具有第一面和第二面的半导体层,该半导体层包含：与第一电极相接的第一～第三半导体区域；第二半导体区域和第三半导体区域,设于第一面与第一半导体区域之间,沿与第一面平行的第一方向延伸；第四半导体区域,设于第一面与第一半导体区域之间,夹在第二与第三半导体区域之间,电连接于第一电极；以及第五半导体区域,设于第一与第四半导体区域之间,杂质浓度比第一半导体区域高,包含第一部分,在第二方向上,第四半导体区域的第一宽度比第二半导体区域的第二宽度大、第二半导体区域与第一部分之间的第一距离小于第二与第四半导体区域之间的第二距离,第一部分的第三宽度比第一宽度小。

2021-09-28

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