半导体装置以及半导体装置的制造方法

半导体装置(100),具备：半导体基板(101)；层叠于半导体基板的表面的第1导电型的半导体层(102)；形成于半导体层的表面的沟槽(104)；将沟槽的底面以及侧面覆膜的绝缘膜(107a)；将被绝缘膜覆膜的沟槽的内部填埋的导电体(108)；形成于半导体层内的第2导电型区域(102P)；和与导电体电连接且与半导体层的表面(102a)形成肖特基势垒的金属膜(109a)。第2导电型区域配置于沟槽下,在俯视观察半导体基板时收在沟槽的区域内。

2021-11-02

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变掺杂JBS结构的半导体器件

本发明公开了一种变掺杂JBS结构的半导体器件,该半导体器件包括阴极、衬底、外延层、P区和阳极,所述阴极、衬底、外延层、阳极从下到上依次设置,在所述外延层上沿横向设置若干个P区；每个所述P区包括采用不同掺杂浓度的P-(1)区、P-(2)区,所述P-(2)区设置在P-(1)区上方,并且面向阳极。本发明将P区分为n个区域,并且采用不同的掺杂浓度,从而可以更好的调控电场,获得更强的反向耐压能力。

2021-11-02

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一种带凹槽结构的肖特基二极管

本发明提供一种带凹槽结构的肖特基二极管,包括：半导体衬底；半导体层,设置于半导体衬底上,半导体层的上表面依次开设有多个凹槽、第一限位槽和多个第二限位槽；肖特基势垒层,设置于半导体层上；第一接触层,设置于肖特基势垒层上,分别与肖特基势垒层和第一电极电连接；第二接触层,设置于半导体层上除肖特基势垒层之外的区域,与半导体层电连接。本发明的带沟槽结构的肖特基二极管,各凹槽形成肖特基二极管的有源区,在研究如何制造出反向漏电流较小的二极管时,只要改变各凹槽之间的距离进行测试即可,无需重新设计并制造出不同的二极管,一定程度上提升了研究的便利性且减少了成本。

2021-11-02

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碳化硅二极管及制造方法

本发明提供了一种碳化硅二极管及制造方法,包括：晶圆基底层、晶圆外延层、掺杂区、掺杂多晶硅、第一层金属层、正面金属层、正面护层和背面金属；晶圆基底层一侧相邻晶圆外延层一侧；晶圆基底层另一侧设置背面金属,背面金属和晶圆基底层之间设置晶背欧姆接触；晶圆外延层另一侧设置多个凹槽,凹槽底部设置为掺杂区,凹槽顶部所在平面和凹槽侧面设置掺杂多晶硅；掺杂区和掺杂多晶硅外侧设置第一层金属层,第一层金属层外侧设置正面金属层,正面金属层外侧设置正面护层。本发明由于界面特性不受高温影响,因此优化工艺流程,减少晶圆减薄后的工艺步骤。

2021-11-02

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一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件

本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件。通过嵌入具有极化结的肖特基势垒二极管(SBD)进行反向续流,与外部反向并联续流二极管的器件相比,该结构在降低器件反向导通压降和寄生效应的同时,显著减小了整个器件的面积；在正向阻断状态,AlGaN/GaN HEMT两个异质界面处留下带有正/负电性的固定极化电荷削弱电场尖峰,改善电场集中效应,调制器件漂移区电场,实现漂移区电场近似矩形的分布,提高器件击穿电压；在器件导通状态,利用二维电子气(2DEG)传输电流,降低导通电阻。

2021-11-02

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一种低开启电压的氧化镓肖特基二极管制备方法

本发明公开了一种低开启电压的氧化镓肖特基二极管的制备方法,主要解决现有方法制作的氧化镓肖特基二极管的开启电压高的问题,其实现方案为：对氧化镓衬底进行清洗；对清洗后的氧化镓衬底表面进行表面修复的预处理,采用氢化物气相外延技术HVPE在预处理后的氧化镓衬底正面进行生长氧化镓外延层；采用磁控溅射在氧化镓衬底背面沉积欧姆阴极金属,并对其进行欧姆退火；对氧化镓外延层进行笑气电感耦合等离子体处理,并采用光刻形成阳极图案；根据阳极图案采用电子束蒸发沉积肖特基阳极金属,完成器件制作。本发明降低了肖特基二极管的开启电压；提高了漂移层的电子迁移率,从而减小了导通电阻,可用于大功率、高电压、高频整流。

2021-11-02

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具有高K场板的氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法

本发明公开了一种具有高K场板的氮化镓肖特基势垒二极管,主要解决现有技术击穿电压低、可靠性差的问题。其自下而上包括欧姆阴极金属层(1)、N～(+)氮化镓衬底层(2)、N～(-)氮化镓外延层(3)及肖特基阳极金属层(4)；该肖特基阳极金属层的右上方设有金属场板层(5),以使器件在反向工作时,将峰值电场转移,降低肖特基阳极金属层的电场,该金属场板层与N～(-)氮化镓外延层之间设有高K介质层(6),以增强其介电能力；该肖特基阳极金属层、金属场板层及高K介质层的上方均设有钝化介质层(7),以在保护电极金属的同时减小漏电电流。本发明增高了氮化镓肖特基势垒二极管的反向击穿电压,降低其反向漏电,可用于高频高功率电子设备。

2021-11-02

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具有异质结终端的氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法

本发明公开了一种具有异质结终端的氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法,主要解决现有技术击穿电压低、可靠性差的问题。其自下而上包括衬底层(1)、氮化镓沟道层(2)、铝镓氮势垒层(3),铝镓氮势垒层上的两端分别为欧姆阴极金属层(4)及肖特基阳极金属层(5)；肖特基阳极金属层的左侧设有P型氧化镍层(6),以使器件在反向工作时形成更宽的耗尽区；欧姆阴极金属层与P型氧化镍层之间设有钝化介质层(7),以填补铝镓氮势垒层中的N空位；该肖特基阳极金属层采用嵌入式凹槽结构,其一侧与P型氧化镍层紧贴,下部嵌入到氮化镓沟道层中。本发明提高了氮化镓肖特基势垒二极管的反向击穿电压,降低了反向漏电,可用于高频高功率电子设备。

2021-11-02

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一种基于Ga-(2)O-(3)终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制作方法

本发明涉及一种基于Ga-(2)O-(3)终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制作方法,包括：SiC外延层；有源区,位于所述SiC外延层的表层中；终端区,位于所述SiC外延层中且位于所述有源区的两侧,其中,所述终端区包括若干间隔排列的Ga-(2)O-(3)终端结构,所述Ga-(2)O-(3)终端结构与所述SiC外延层之间均形成pn结。该肖特基二极管中终端区采用Ga-(2)O-(3)材料,Ga-(2)O-(3)具有较高的击穿场强,可以显著降低4H-SiC肖特基二极管周边区域的电场集中现象,降低器件的漏电流,提升器件可靠性,保证器件在正常的静态特性下可以显著提升反向耐压能力。

2021-10-26

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一种基于金刚石终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制作方法

本发明涉及一种基于金刚石终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制作方法,该肖特基二极管包括：SiC外延层；有源区,位于SiC外延层的表层中；终端区,位于SiC外延层中且位于有源区的两侧,其中,终端区包括若干第一金刚石终端结构和若干第二金刚石终端结构,若干第一金刚石终端结构间隔排列,若干第二金刚石终端结构间隔排列,且若干第一金刚石终端结构和若干第二金刚石终端结构上下交替分布,若干第一金刚石终端结构与SiC外延层之间、若干第二金刚石终端结构与SiC外延层之间均形成pn结。该肖特基二极管中表面电场被集中逐步引入到器件体内,避免了器件提前击穿现象,提高器件的可靠性,提高了器件在正常的静态特性下的反向耐压能力。

2021-10-26

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