本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种超突变变容二极管,包括：N型重掺杂衬底；N型轻掺杂外延层,设置于所述N型重掺杂衬底上方；P型重掺杂层,设置于所述N型轻掺杂外延层内上部,所述P型重掺杂层向下延伸出若干个凸起一,若干个所述凸起一均呈柱状且相互间隔分布；N型掺杂缓冲层,设置于所述N型轻掺杂外延层和所述P型重掺杂层之间。该超突变变容二极管P型重掺杂层和N型掺杂缓冲层的剖面呈插值状延伸入N型轻掺杂外延层内,使得在不增加反偏结电容的前提下,增大了器件的零偏结电容,从而显著增大器件的变容比。