本发明涉及一种三终端叠层太阳能发电单元(1),其包括：-由钙钛矿型化合物制成的第一吸收层(7)；-第二吸收层(11、11’)；-设置于所述第一吸收层(7)的前侧的第一和第二叉指前接触(5a、5b),所述第一前接触(5a)具有第一极性,所述第二前接触(5b)具有第二极性；-设置于所述第二吸收层(11、11’)的背侧的具有所述第一或第二极性的背接触(17、17’)；-设置在所述第一吸收层(7)和第二吸收层(11、11’)之间的界面层(9、90、9’、90’),所述界面层包括根据所述第一极性掺杂的半导体第一子层(9a、90a、9a’、90a’)和根据所述第二极性掺杂的第二子层(9b、90b、9b’、90b’),并且所述界面层构造为允许极性不同于所述背接触(17、17’)极性的关联载流子从所述第二吸收层(11、11’)转移到所述第一吸收层(7),以被极性不同于所述背接触(17、17’)极性的前接触(5a、5b)所收集。

本发明公开一种内串联式异质结电池及其制作方法,内串联式异质结电池的第一非晶硅层包括第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层,第二非晶硅层包括与第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二P型非晶硅层和与第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二N型非晶硅层,多个第一透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接,多个第二透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接,第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的内串联式异质结电池具有能量转换效率高、由其组成的光伏组件封装简单方便的优点。

本申请涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件,所述太阳能电池包括半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；位于所述半导体衬底的第一表面上的第一钝化层和第一电极层；位于所述半导体衬底的第二表面的第二钝化层和第二电极层；其中,在所述第一钝化层和所述半导体衬底的第一表面之间设有给体材料膜层,和/或,在所述第二钝化层和所述半导体衬底的第二表面之间设有受体材料膜层。本申请通过在晶硅层和非晶硅层之间设置给体材料膜层、受体材料膜层,阻挡了半导体衬底和钝化层的接触,抑制硅的外延生长,从而有效改善钝化效果,提升电池转换效率。

本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法,包括：Ge基板,作为基电池；GaAs光栅结构,设置于Ge基板的一端,是通过全息曝光形成的反射镜结构；InGaAs铺垫层,覆盖GaAs光栅结构；InGaAs中电池,设置于InGaAs铺垫层另一端；InGaP顶电池,设置于InGaAs中电池另一端；电极,设置于InGaP顶电池的另一端；减反射膜,覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面,且覆盖着电极之外的区域；其中,InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接,以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。

本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层一侧的第一透明导电复合膜；第一透明导电复合膜包括第一透明导电膜和位于第一透明导电膜背向半导体衬底层一侧表面的纳米线导电膜；位于第一透明导电复合膜背向半导体衬底层一侧表面的背栅电极。纳米线导电膜的横向电阻率大于第一透明导电膜的横向电阻率。本发明的异质结太阳能电池,采用透明导电复合膜,只需较少的背栅电极的数目,以减少银的消耗量且能够保持异质结太阳能电池具有良好的性能。

本发明涉及光伏电池技术领域,具体涉及一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法及应用。该方法包括：取以N型硅片(如N型单晶硅片)为衬底的钝化接触太阳电池；采用特定光源对所述钝化接触太阳电池表面进行照射,以使钝化接触太阳电池的N型硅衬底中的H～(-)转化成H～(0)；并共同将特定电压施加于所述钝化接触太阳电池的正负电极,以使H～(-)驱除出所述N型硅衬底表面。该方法通过特定光源照射结合特定电压施加的方式,既能驱除钝化接触太阳电池的N型硅衬底中的H～(-),又能将其硅衬底中的H～(-)转化为H～(0)；因此能降低其硅衬底中的H～(-)含量来消除N型钝化接触太阳电池的氢致衰减和提高电池效率。

本发明提供一种太阳能电池的制备方法,包括如下步骤：提供衬底器件,衬底器件有相对设置的第一表面和第二表面、以及与第一表面和第二表面相连接的侧表面；在第一表面形成第一透明导电膜；在第二表面形成第二透明导电膜；在形成第一透明导电膜和/或在形成第二透明导电膜的过程中,在侧表面形成附加透明导电膜；去除附加透明导电膜。该方法不需形成透明导电膜相对边缘的“缩进”就能避免透明导电膜与其他层结构的导通,又使得第一透明导电膜覆盖衬底器件的第一表面的面积较大,第二透明导电膜覆盖衬底器件的第二表面的面积较大,从而载流子能够有效地被第一透明导电膜和第二透明导电膜吸收传输,减小短路电流损失,提高太阳能电池的光电转换效率。

本发明提供一种碲化镉薄膜太阳能电池、制备方法及活化处理设备。制备方法包括步骤：提供衬底层,于衬底层上沉积窗口层；于窗口层上沉积光吸收层；对窗口层和光吸收层进行活化处理,包括于光吸收层上高压喷涂氯化镁溶液,然后在预设温度下进行预定时长的退火；活化处理后,进行湿法铜扩散处理；于光吸收层上沉积背电极层。本发明利用氯化镁溶液引入氯并经退火活化,可以进一步改善电池性能,从而有助于增加短路电流密度,提高电池的性能。本发明的制备方法工艺和操作简单,容易控制,制备过程环保无害,有助于提高制备良率和降低制备成本。依本发明的制备方法制备的碲化镉薄膜太阳能电池的初始性能和长期稳定性优异,转换效率高。

本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法,包括铜铟镓硒CIGS薄膜,CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面,Ga梯度包含了两个极小值,CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压V-(OC),提高载流子收集效率,提高短路电流J-(SC),同时,“W”型梯度含有两个低GGI的区域,增加了长波长光子的吸收机率。

本发明公布一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法,电池组件自上而下依次包括正面超白高透玻璃、正面封装聚合物、正面电极、正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面正电极环、集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃；本社申请电池组件将MWT结构正面低遮光面积和低银耗的特点发挥到背面,大幅缓解了产业化HIT电池中高银耗量的问题,也可搭配超细栅技术,利于产业化HIT电池的降本增效。