本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法,包括：Ge基板,作为基电池；GaAs光栅结构,设置于Ge基板的一端,是通过全息曝光形成的反射镜结构；InGaAs铺垫层,覆盖GaAs光栅结构；InGaAs中电池,设置于InGaAs铺垫层另一端；InGaP顶电池,设置于InGaAs中电池另一端；电极,设置于InGaP顶电池的另一端；减反射膜,覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面,且覆盖着电极之外的区域；其中,InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接,以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。

本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层一侧的第一透明导电复合膜；第一透明导电复合膜包括第一透明导电膜和位于第一透明导电膜背向半导体衬底层一侧表面的纳米线导电膜；位于第一透明导电复合膜背向半导体衬底层一侧表面的背栅电极。纳米线导电膜的横向电阻率大于第一透明导电膜的横向电阻率。本发明的异质结太阳能电池,采用透明导电复合膜,只需较少的背栅电极的数目,以减少银的消耗量且能够保持异质结太阳能电池具有良好的性能。

本发明公开了HJT导电银胶组成物及其制备方法和HJT太阳能电池,组成物包括：银粉、环氧树脂、柔性化合物、固化剂、稀释剂及助剂；所述柔性化合物包括柔性嵌段共聚物、柔性接枝共聚物和柔性共混聚合物中的一种或多种。按重量百分数计,包括：80～95wt%的银粉,1～10wt%的环氧树脂,1～10wt%的柔性化合物,1～5wt%的固化剂,1～5wt%的稀释剂,及0.01～0.5wt%助剂；本发明的导电银胶具有良好的焊锡浸润性、抗焊料侵蚀性,并且固化后树脂部分有对称的硬段结构可以提供更强的内聚力以分散消耗外部应力,在保证电性能的同时实现导电银胶高焊接拉力的性能。

本发明提供了一种室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法,该室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法,包括：在Mo电极上沉积铜基吸收层薄膜；使用氨水和硫化氨蒸气处理铜基吸收层薄膜表面,获得具有表面梯度带隙的铜基薄膜太阳电池。本发明中先使用氨水刻蚀铜基薄膜表面,使其表面留下悬挂键和硒空位。然后再使用硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面,使其表面带隙增加,形成了表面梯度带隙。经过室温硫化后,电池的开路电压得到大幅提升,因此使效率获得提升。硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面工艺简单,降低了太阳电池的制造成本。

本发明涉及一种异质构型太阳能电池结构及其制备方法与应用,太阳能电池结构包括由下而上依次设置的导电基底、CZTS薄膜层、CsPbBr-(3)薄膜层及碳电极,CZTS薄膜层与CsPbBr-(3)薄膜层构成CZTS-CsPbBr-(3)异质结；制备方法包括以下步骤：1)在导电基底上生成CZTS薄膜层；2)在CZTS薄膜层上沉积CsPbBr-(3)薄膜层；3)在CsPbBr-(3)薄膜层上沉积碳电极,制得的太阳能电池结构用于高性能太阳能电池器件中。与现有技术相比,本发明太阳能电池结构中,CZTS-CsPbBr-(3)异质结可改善开路电压亏损,实现高性能器件制备。

本发明提供一种载流子有效分离的铜基薄膜太阳电池P-N结结构设计方法及制备得到的太阳电池。该薄膜太阳电池P-N结结构设计的方法,包括：在背电极上制备P型铜锌锡硫硒吸光层薄膜；在所述吸光层表面沉积弱N型缓冲层薄膜；在所述缓冲层薄膜表面低温沉积N型窗口层,其中低温退火过程中通过界面固态交换反应实现一个新型P-N结结构设计。由此,形成的新型P-N结结构实现了载流子的有效分离,优化了载流子的传输和收集效率,增加了开路电压,显著提升了薄膜太阳电池的光电转换效率。本发明工艺简单,有效地解决了目前P-N结界面的能带排列问题,为薄膜太阳电池的产业化提供了一条路径。

本发明提供叠层光伏器件及生产方法,涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括：位于上层电池单元和下层电池单元之间的隧道结；下层电池单元为晶体硅电池；隧道结包括：载流子传输层、晶体硅层以及位于载流子传输层和晶体硅层之间的中间层；载流子传输层为金属氧化物层；中间层包括隧穿层；晶体硅层的掺杂浓度大于等于10～(17)cm～(-3)；载流子传输层与上层电池单元的背光面直接接触；在晶体硅层为p型晶体硅层的情况下,第一能级与第二能级接近；第一能级为界面处金属氧化物的导带底能级；第二能级为界面处p型晶体硅的价带顶能级；在晶体硅层为n型晶体硅层的情况下,第三能级与第四能级接近。本申请提高了工艺简单,界面复合少,整体串联电阻偏低,隧穿效率高。

本发明提供叠层光伏器件及生产方法,涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元,以及位于上层电池单元和下层电池单元之间的隧道结；下层电池单元为晶体硅电池；隧道结包括：上晶体硅层、下晶体硅层以及位于上晶体硅层和下晶体硅层之间的中间层；所述上晶体硅层、所述下晶体硅层、所述中间层直接接触,所述上晶体硅层和所述下晶体硅层的掺杂类型相反；所述上晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度、所述下晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度均大于或等于10～(18)cm～(-3)；所述中间层包括：至少一层介电层；所述介电层的带隙宽度大于或等于3eV。本申请提高了叠层光伏器件效率,降低了串联电阻,提升了峰值隧道电流。

本发明涉及太阳能电池技术领域,提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法,该异质结太阳能电池,包括：N型衬底,N型衬底的一侧自内而外至少设置有第一钝化层与N型掺杂层；N型衬底的另一侧自内而外至少设置有第二钝化层与P型掺杂层；N型掺杂层包括层叠设置的种子层与精细晶硅层；种子层为N型非晶硅薄膜层；其中,N型非晶硅薄膜层与第一钝化层接触。该异质结太阳能电池相比于原有技术的N型掺杂层,纳米晶和微晶的结晶性更好,掺杂效率变高,载流子浓度大,提高了N型掺杂层的光电导率,降低了体电阻,改善电池的串联电阻,提高了电池的效率。