本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法,包括：Ge基板,作为基电池；GaAs光栅结构,设置于Ge基板的一端,是通过全息曝光形成的反射镜结构；InGaAs铺垫层,覆盖GaAs光栅结构；InGaAs中电池,设置于InGaAs铺垫层另一端；InGaP顶电池,设置于InGaAs中电池另一端；电极,设置于InGaP顶电池的另一端；减反射膜,覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面,且覆盖着电极之外的区域；其中,InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接,以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。

本发明提供叠层光伏器件及生产方法,涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括：位于上层电池单元和下层电池单元之间的隧道结；下层电池单元为晶体硅电池；隧道结包括：载流子传输层、晶体硅层以及位于载流子传输层和晶体硅层之间的中间层；载流子传输层为金属氧化物层；中间层包括隧穿层；晶体硅层的掺杂浓度大于等于10～(17)cm～(-3)；载流子传输层与上层电池单元的背光面直接接触；在晶体硅层为p型晶体硅层的情况下,第一能级与第二能级接近；第一能级为界面处金属氧化物的导带底能级；第二能级为界面处p型晶体硅的价带顶能级；在晶体硅层为n型晶体硅层的情况下,第三能级与第四能级接近。本申请提高了工艺简单,界面复合少,整体串联电阻偏低,隧穿效率高。

本发明提供叠层光伏器件及生产方法,涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元,以及位于上层电池单元和下层电池单元之间的隧道结；下层电池单元为晶体硅电池；隧道结包括：上晶体硅层、下晶体硅层以及位于上晶体硅层和下晶体硅层之间的中间层；所述上晶体硅层、所述下晶体硅层、所述中间层直接接触,所述上晶体硅层和所述下晶体硅层的掺杂类型相反；所述上晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度、所述下晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度均大于或等于10～(18)cm～(-3)；所述中间层包括：至少一层介电层；所述介电层的带隙宽度大于或等于3eV。本申请提高了叠层光伏器件效率,降低了串联电阻,提升了峰值隧道电流。