本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法,包括：Ge基板,作为基电池；GaAs光栅结构,设置于Ge基板的一端,是通过全息曝光形成的反射镜结构；InGaAs铺垫层,覆盖GaAs光栅结构；InGaAs中电池,设置于InGaAs铺垫层另一端；InGaP顶电池,设置于InGaAs中电池另一端；电极,设置于InGaP顶电池的另一端；减反射膜,覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面,且覆盖着电极之外的区域；其中,InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接,以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。

本发明提供一种碲化镉薄膜太阳能电池、制备方法及活化处理设备。制备方法包括步骤：提供衬底层,于衬底层上沉积窗口层；于窗口层上沉积光吸收层；对窗口层和光吸收层进行活化处理,包括于光吸收层上高压喷涂氯化镁溶液,然后在预设温度下进行预定时长的退火；活化处理后,进行湿法铜扩散处理；于光吸收层上沉积背电极层。本发明利用氯化镁溶液引入氯并经退火活化,可以进一步改善电池性能,从而有助于增加短路电流密度,提高电池的性能。本发明的制备方法工艺和操作简单,容易控制,制备过程环保无害,有助于提高制备良率和降低制备成本。依本发明的制备方法制备的碲化镉薄膜太阳能电池的初始性能和长期稳定性优异,转换效率高。

本申请提供了一种薄膜太阳能电池及其制作方法,涉及光伏技术领域。本申请提供的薄膜太阳能电池中,吸收层包括与背接触层接触的CdTe层,背接触层包括与背电极层接触的掺As的ZnTe层。通过引入掺杂As的ZnTe层,来代替Cu掺杂,能够改善因Cu扩散导致的PN结质量下降,光电转换效率低的问题。相比于Cu掺杂,As替位Te形成Zn-(3)As-(2)结合能较高,为140eV。因此As掺杂能够使背接触层更加稳定,不易扩散到电池吸收层,从而提高薄膜太阳能电池性能的稳定性,使其具有更长的使用寿命。本申请提供的薄膜太阳能电池的制作方法,用于制作上述的薄膜太阳能电池。