只包括AIIIBV化合物的半导体,例如GaAs/AlGaAs或InP/GaInAs太阳能电池
一种多结太阳能电池及制造方法
本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法,包括:Ge基板,作为基电池;GaAs光栅结构,设置于Ge基板的一端,是通过全息曝光形成的反射镜结构;InGaAs铺垫层,覆盖GaAs光栅结构;InGaAs中电池,设置于InGaAs铺垫层另一端;InGaP顶电池,设置于InGaAs中电池另一端;电极,设置于InGaP顶电池的另一端;减反射膜,覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面,且覆盖着电极之外的区域;其中,InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接,以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。

2021-11-02

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