内串联式异质结电池及其制作方法

本发明公开一种内串联式异质结电池及其制作方法,内串联式异质结电池的第一非晶硅层包括第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层,第二非晶硅层包括与第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二P型非晶硅层和与第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二N型非晶硅层,多个第一透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接,多个第二透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接,第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的内串联式异质结电池具有能量转换效率高、由其组成的光伏组件封装简单方便的优点。

2021-11-02

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太阳能电池及其制备方法、光伏组件

本申请涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件,所述太阳能电池包括半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；位于所述半导体衬底的第一表面上的第一钝化层和第一电极层；位于所述半导体衬底的第二表面的第二钝化层和第二电极层；其中,在所述第一钝化层和所述半导体衬底的第一表面之间设有给体材料膜层,和/或,在所述第二钝化层和所述半导体衬底的第二表面之间设有受体材料膜层。本申请通过在晶硅层和非晶硅层之间设置给体材料膜层、受体材料膜层,阻挡了半导体衬底和钝化层的接触,抑制硅的外延生长,从而有效改善钝化效果,提升电池转换效率。

2021-11-02

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一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法及应用

本发明涉及光伏电池技术领域,具体涉及一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法及应用。该方法包括：取以N型硅片(如N型单晶硅片)为衬底的钝化接触太阳电池；采用特定光源对所述钝化接触太阳电池表面进行照射,以使钝化接触太阳电池的N型硅衬底中的H～(-)转化成H～(0)；并共同将特定电压施加于所述钝化接触太阳电池的正负电极,以使H～(-)驱除出所述N型硅衬底表面。该方法通过特定光源照射结合特定电压施加的方式,既能驱除钝化接触太阳电池的N型硅衬底中的H～(-),又能将其硅衬底中的H～(-)转化为H～(0)；因此能降低其硅衬底中的H～(-)含量来消除N型钝化接触太阳电池的氢致衰减和提高电池效率。

2021-10-29

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一种太阳能电池的制备方法

本发明提供一种太阳能电池的制备方法,包括如下步骤：提供衬底器件,衬底器件有相对设置的第一表面和第二表面、以及与第一表面和第二表面相连接的侧表面；在第一表面形成第一透明导电膜；在第二表面形成第二透明导电膜；在形成第一透明导电膜和/或在形成第二透明导电膜的过程中,在侧表面形成附加透明导电膜；去除附加透明导电膜。该方法不需形成透明导电膜相对边缘的“缩进”就能避免透明导电膜与其他层结构的导通,又使得第一透明导电膜覆盖衬底器件的第一表面的面积较大,第二透明导电膜覆盖衬底器件的第二表面的面积较大,从而载流子能够有效地被第一透明导电膜和第二透明导电膜吸收传输,减小短路电流损失,提高太阳能电池的光电转换效率。

2021-10-29

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铜铟镓硒电池及其制造方法

本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法,包括铜铟镓硒CIGS薄膜,CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面,Ga梯度包含了两个极小值,CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压V-(OC),提高载流子收集效率,提高短路电流J-(SC),同时,“W”型梯度含有两个低GGI的区域,增加了长波长光子的吸收机率。

2021-10-29

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一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法

本发明公布一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法,电池组件自上而下依次包括正面超白高透玻璃、正面封装聚合物、正面电极、正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面正电极环、集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃；本社申请电池组件将MWT结构正面低遮光面积和低银耗的特点发挥到背面,大幅缓解了产业化HIT电池中高银耗量的问题,也可搭配超细栅技术,利于产业化HIT电池的降本增效。

2021-10-29

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利用晶体硅对太阳能电池光接收表面进行钝化

本发明描述了利用晶体硅将太阳能电池的光接收表面钝化的方法以及所得的太阳能电池。在一个示例中,太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上方设置有本征硅层。在所述本征硅层上设置有N型硅层。所述本征硅层和所述N型硅层中的一者或两者是微晶或多晶硅层。在另一个示例中,太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在所述硅基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上设置有N型微晶或多晶硅层。

2021-10-29

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异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件

本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件,属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割,得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理,使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。通过本申请的异质结电池处理方法,能有效减小因激光切割造成的功率损失,提高切割后的异质结电池的效率。

2021-10-26

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一种异质结太阳能电池及制备方法

本发明涉及太阳能电池技术领域,提供了一种异质结太阳能电池及制备方法,该异质结太阳能电池,包括：N型衬底,N型衬底的正面依次向上设置有第一钝化层、N型非晶或微晶层、第一透明导电层和第一电极；N型衬底的背面依次向下设置有第二钝化层、P型非晶或微晶层、第二透明导电层和第二电极；第二透明导电层为掺杂有二氧化钛和银混合颗粒的层状结构。本发明提供的异质结太阳能电池,在第二透明导电层内掺杂有二氧化钛和银混合颗粒,利用纳米二氧化钛和银混合颗粒的反光作用,使得透过电池到达第二透明导电层的光再次被反射到电池里面,从而提高了光的利用率,电池电流得到提升,从而电池效率得到提升。

2021-10-26

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富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法

本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法,其中,该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极,并露出部分窗口层,得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中,类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。

2021-10-22

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