本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法,包括铜铟镓硒CIGS薄膜,CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面,Ga梯度包含了两个极小值,CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压V-(OC),提高载流子收集效率,提高短路电流J-(SC),同时,“W”型梯度含有两个低GGI的区域,增加了长波长光子的吸收机率。

本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法,其中,该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极,并露出部分窗口层,得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中,类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。