本发明公开了一种宽度渐变的硅基探测器,包括：SOI衬底,包括:底部硅材料层,二氧化硅填埋层,顶层硅,顶层硅上形成波导层；n型轻掺杂区,形成在波导层上；n型重掺杂区,形成在n型轻掺杂区的两侧；光吸收层,形成在n型轻掺杂区上,光吸收层的部分上表面形成有光吸收层p型重掺杂区；二氧化硅窗口层,形成在顶层硅和波导层上,与波导层对应的二氧化硅窗口层上开设有外延窗口；与n型重掺杂区对应的二氧化硅窗口层和绝缘介质层上开设有第一电极窗口；与光吸收层p型重掺杂区对应的绝缘介质层上开设有第二电极窗口；n电极,形成在第一电极窗口上；p电极,形成在第二电极窗口上；光吸收层在靠近光入射端的宽度大于在远离光入射端的宽度。

本发明公开了一种异质结太阳能电池,包括N型晶圆,N型晶圆的第一表面上依次设置i-型非晶硅氧化物,n-型非晶硅及混合金属氧化物导电层,N型晶圆相对的另一表面上依次设置i-型非晶硅氧化物,p-型非晶硅及混合金属氧化物导电层,所述混合金属为铟和副族金属中的至少一种混合。本发明的还提供一种混合金属氧化物导电薄膜。混合金属氧化物导电薄膜可以提高太阳能电池载流子迁移率并提高太阳能电池的转换效率。

本发明公开了一种复合导电膜,复合导电膜为叠层结构,依次包括：增透层,混合物镀层,及透明导电层；所述混合物镀层为金属与金属氧化物混合的镀层,或金属与金属氮化物混合的镀层,或金属与金属氧化物及金属氮化物混合的镀层。混合物镀层可以降低导电膜的方阻,本发明的还提供一种使用复合导电膜的异质结太阳能电池。

本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及切片硅异质结太阳能电池、制备方法及太阳能电池组件。该制备方法包括：对整片硅异质结太阳能电池切割形成切片硅异质结太阳能电池主体；还包括：在切片硅异质结太阳能电池主体的被切割侧表面形成侧接触含硅薄膜,侧接触含硅薄膜的介电常数范围为1－10；其中,切片硅异质结太阳能电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电层。该方法在异质结太阳能电池被切割后,通过含硅薄膜对侧表面的缺陷和悬挂键进行钝化,减少硅异质结太阳能电池效率的切割损失,提高硅异质结太阳能电池效率；同时还通过含硅薄膜取代一定厚度的透明导电层,减少使用ITO的总量,降低生产成本。

本发明涉及一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法,步骤如下：S1,以SiO2石英玻片为基板,先用洗洁剂反复擦洗,然后依次用去离子水、丙酮和无水乙醇各超声20min,采用氮气吹干；S2,夹装PI衬底到所述基板,使用PECVD设备制备正面本征非晶硅层,正面n型掺杂非晶硅层,中间i型掺杂非晶硅层,背面本征非晶硅厚度,背面p型掺杂非晶硅层；S3,磁控溅射沉积ITO薄膜,正背面ITO薄膜厚度为80nm；S4,丝网印刷正背面银金属电极,主栅宽度为0.1～2mm,主栅数目为2～20,正背面银副栅线宽度为20～70μm,线数为80～250；S5,固化烧结使金属与硅之间形成良好的欧姆接触；S6,进行电池的电性能测试,测量电池量产平均效率。