本发明提供了一种银镓硫/硫硒镉核壳量子点及其制备方法以及包含该量子点的光电探测器,量子点的制备包括以下步骤：将银源、镓源与硫前驱体溶液混合后制得银镓硫量子点溶液；将镉源、油酸和正十八烯混合,制得镉前驱体溶液；将单质硫粉、单质硒粉、正十八烯和三辛基膦混合后制得硫/硒前驱体溶液；将镉前驱体溶液与硫/硒前驱体溶液混合,得硫硒镉前驱体混合溶液；将制得的银镓硫量子点分散于正十八烯溶液中,然后向其中缓慢注入硫硒镉前驱体混合溶液,反应后得银镓硫/硫硒镉核壳量子点材料；该材料可有效解决现有的量子点材料存在的带隙宽、具有表面缺陷/陷阱态等问题；该光电探测器解决了传统光电探测器工作耐久性差、暗电流高等问题。

本发明公开了一种硅光栅增强的石墨烯场效应管太赫兹探测器及其制备工艺。该探测器包括栅电极、硅基底、栅极介电层、单层石墨烯、源极、漏极。该探测器通过硅光栅对入射太赫兹波的衍射作用激发石墨烯表面等离激元,利用石墨烯等离子体增强效应在源极和漏极之间产生电压差,从而完成光电探测。并且可以通过改变栅极电压,调节石墨烯载流子浓度实现调控耦合太赫兹波的强度和共振频率。该探测器相应的制备工艺简单、操作容易、室温下工作、响应速度快、灵敏度高,可以解决太赫兹探测的重大需求。

本发明公开一种基于透明氧化物的光电类突触器件及其应用,属于人工神经网络技术领域,包括衬底以及所述衬底上依次叠层设置的功能层和离子发光层；所述离子发光层的两侧分别设置有金属电极,且两个所述金属电极的底部均与所述功能层的上表面相接触；所述离子发光层为钙钛矿型氧化物,所述钙钛矿型氧化物掺杂有稀土元素。本发明的光电类突触器件可以对大范围波长的光都能做出突触响应,且在较小电信号或光信号刺激下有很大的电阻,从而具有很低的功耗,且提高了光电类突触器件的稳定性和均一性。