本申请实施例提供一种基于半导体CMOS工艺的红外传感器芯片及其制备方法,涉及半导体技术领域,用于解决相关技术中去除牺牲层时,易对微桥结构和梁结构造成损伤的技术问题,该制备方法包括提供基底,基底上具有第一牺牲层；形成梁结构和微桥结构；形成覆盖梁结构和微桥结构的第二牺牲层；去除第一牺牲层和第二牺牲层。本申请实施例通过形成覆盖梁结构和微桥结构的第二牺牲层,利用第二牺牲层对梁结构和微桥结构的侧面进行防护,防止在去除第一牺牲层时对梁结构和微桥结构造成损伤,提高红外传感器芯片的性能。

本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法,该日盲型紫外光电探测器,包括：导电基底,其上开设有沟道；Ga-(2)O-(3)纳米柱阵列,其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层,其覆盖Ga-(2)O-(3)纳米柱阵列。本发明的日盲型紫外光电探测器,Ga-(2)O-(3)具有高的热稳定性和化学稳定性,其禁带宽度约为4.9eV,只对日盲区的深紫外光敏感,相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料,Ga-(2)O-(3)不需要任何掺杂来调节带隙,避免了合金相的成分波动和相分离；而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层,使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流,在低光强下仍具有较高的开关比。

本发明公开了一种中波、长波红外透明导电薄膜材料及其制备方法,属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是为解决现有红外透明导电技术在中波和长波波段内难以兼顾导电性和红外透明性的问题。本发明以无机p型卤化物半导体碘化铜为原料,其分子式为CuI。采用化学方法合成薄膜,并对其进行元素掺杂以调控薄膜的透明性和导电性。所制备的掺杂CuI薄膜不仅具有高电导率和载流子迁移率,还在可见光-近红外-中红外-远红外波长区间均具有高透明性,且透过波段范围连续可调。本发明制备技术易于操作,成本低廉,易于大面积成膜,适合产业化生产。

光学传感器、包括用于光学检测至少一个对象的光学传感器的检测器,以及用于制造该光学传感器的方法。光学传感器(110)包括基板(120)、具有至少一种光电导材料(114)的光电导层(112)和至少一个电极层(124)。除了电极层的第一边缘部分(128)之外的电极层呈现厚度d-0。电极层的第一边缘部分(128)以电极-光电导体界面(132)被形成在电极层的表面(134)的方式被光电导层(112)的边缘部分(130)覆盖。电极-光电导体界面(132)包括第一、第二和第三段(138、140、142)。电极层的在第一段(138)内的厚度d-1等于厚度d-0,电极层的在第二段(140)内的厚度d-2等于或超过厚度d-0,并且电极层的在第三段(142)内的厚度d-3在第三段内朝着电极层的边缘(146)连续且单调地减小。根据欧姆定律,光学传感器(110)表现出线性电流-电压特性。

本发明提供了一种偏振光探测器及其制备方法,其中,该偏振光探测器包括：衬底；源电极和漏电极,设置于衬底上；一维硒硫化锑(Sb-2(S-xSe-(1-x))-3)合金纳米线,作为偏振光探测器的有源层,设置于衬底上的源电极和漏电极之间,其中,硒硫化锑(Sb-2(S-xSe-(1-x))-3)合金纳米线中组分比例可调节,x介于0～1之间。

本发明公开了一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法。所述光电探测器从下到上依次包括衬底层、光响应层、电极层；所述光响应层为富含缺陷的MoxWySz合金薄膜；所述MoxWySz合金薄膜以氯化钠促融制备。本发明通过将光响应层设置为富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜,从而使得光电探测器具有持续光电导效应；通过设置比较器模块,使得图像逻辑运算处理器单元能够执行逻辑运算。所述限域倾斜CVD法中的NaCl能够促进MoS-2和WS-2的融合,从而生长富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜,该薄膜中的缺陷可以束缚光生载流子,从而阻碍光生载流子的复合。

本发明提供一种深紫外非晶氧化镓光电探测器及其制备方法与应用,所述制备方法包括以下步骤：(1)采用脉冲激光沉积法在衬底的表面制备非晶氧化镓薄膜,得到薄膜样品；(2)依次采用紫外光刻法和磁控溅射法在所述薄膜样品的薄膜一侧表面制备叉指电极,得到深紫外非晶氧化镓光电探测器；其中,步骤(1)所述脉冲激光沉积法的氧气分压为0.13-1.3Pa。所述光电探测器包括依次设置的衬底、非晶氧化镓薄膜和叉指电极；所述应用包括分析测试、环境监测、工业自动化控制、空间通信和导弹跟踪领域。本发明提供的光电探测器克服了同质衬底昂贵,异质衬底热失配大的问题,同时提升了器件信噪比和响应速度,简化了制备方法并适应于工业生产应用。

本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法,属于光电探测领域,光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底,所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅,被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜,形成于所述硅基底表面,被配置为紫外光吸收层以产生载流子；叉指状电极,形成于所述非晶掺氧氮化硅薄膜表面。本发明的日盲紫外探测器采用发光的宽禁带非晶掺氧氮化硅(a-SiN-x:O)薄膜作为紫外光吸收层,以P型晶硅(p-Si)或本征晶硅(i-Si)作为载流子传输层,构建的光导型全硅基日盲紫外探测器不仅成本低廉,而且能与成熟的CMOS制造工艺相兼容,从而实现大面积生产。