本发明公开了硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法,包括Si衬底、SiO-(2)衬底、二维WSe-(2)/TMDCs异质结器件、两个Au电极和导线,SiO-(2)衬底设置于Si衬底的顶端,二维WSe-(2)/TMDCs异质结器件设置于SiO-(2)衬底的顶端,两个Au电极分别设置于二维WSe-(2)/TMDCs异质结器件,两个导线分别于两个Au电极相连接,二维WSe-(2)/TMDCs异质结器件为U型结构,导线为导电材料,导线用于传输Au电极的电信号。本发明利用二维WSe-(2)/TMDCs异质结器件的设置,通过多组数据的测量,得到二维WSe-(2)/TMDCs异质结器件,使得二维WSe-(2)/TMDCs异质结器件可在近红外波段实现光电响应,同时该器件成本低、体积小且功耗低。

本发明公开了传感器及包括该传感器的电子装置,该传感器包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的光吸收层。光吸收层可以具有在第一红外波长区域中有第一吸收峰的第一吸收光谱以及在第二红外波长区域中有第二吸收峰的第二吸收光谱,第二红外波长区域是具有比第一红外波长区域中的波长长的波长的区域。第二吸收光谱不与第一吸收光谱至少部分地重叠。第二吸收光谱可以具有比第一吸收光谱低的吸收强度。在传感器中表现出在第二红外波长区域中放大的外部量子效率(EQE)光谱。

本公开提供一种光学装置。光学装置包括第一导电层、第一接面层、第一光吸收层、第二接面层与第二导电层。第一接面层配置在第一导电层上。第一光吸收层配置在第一接面层上,其中光吸收层包括多个晶元格,每一晶元格包括多个柱状结构,每一晶元格的柱状结构的尺寸不同。第二接面层配置在光吸收层上。第二导电层配置在第二接面层上。

本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法,该日盲型紫外光电探测器,包括：导电基底,其上开设有沟道；Ga-(2)O-(3)纳米柱阵列,其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层,其覆盖Ga-(2)O-(3)纳米柱阵列。本发明的日盲型紫外光电探测器,Ga-(2)O-(3)具有高的热稳定性和化学稳定性,其禁带宽度约为4.9eV,只对日盲区的深紫外光敏感,相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料,Ga-(2)O-(3)不需要任何掺杂来调节带隙,避免了合金相的成分波动和相分离；而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层,使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流,在低光强下仍具有较高的开关比。

本发明公开了一种大面积碲锌镉(211)B材料表面抛光方法,碲锌镉(211)B衬底用于分子束外延碲镉汞薄膜材料,碲锌镉(211)B衬底面积为40×40mm～(2)～50×50mm～(2)。通过在抛光液中加入一定浓度的增润剂及抛光前处理抛光垫来降低衬底表面抛光粗糙度；并少量多次加入氧化剂来配制抛光液；针对主要抛光参数(氧化剂浓度、抛光压力、抛光盘转速、抛光时间)实施多因素实验方案的设计及优化来确定最优化抛光参数。此方法解决了大面积碲锌镉(211)B衬底精密抛光过程中抛光均匀性和一致性难以控制的难题,采用本发明的方法,衬底抛光表面粗糙度可达0.34nm、平整度可达1.19μm,实现了对碲锌镉衬底表面的精密加工。

本发明公开了一种黑体灵敏的室温低维碲红外光电探测器及制备方法。其器件结构自下而上依次为是衬底、低维的纳米半导体,覆盖在器件两端的金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的碲(Te)纳米线或者纳米片转移到具有氧化物层的硅衬底上,运用激光直写或者电子束光刻的方法,结合热蒸发工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极,形成纳米线半导体场效应晶体管结构,成为低维纳米光电探测器。器件首先需要在源极和漏极间施加一小电压,通过黑体光源光照下的电流信号变化,进而实现黑体探测。该黑体灵敏探测器具有室温工作、黑体灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。

本发明公开了一种中波、长波红外透明导电薄膜材料及其制备方法,属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是为解决现有红外透明导电技术在中波和长波波段内难以兼顾导电性和红外透明性的问题。本发明以无机p型卤化物半导体碘化铜为原料,其分子式为CuI。采用化学方法合成薄膜,并对其进行元素掺杂以调控薄膜的透明性和导电性。所制备的掺杂CuI薄膜不仅具有高电导率和载流子迁移率,还在可见光-近红外-中红外-远红外波长区间均具有高透明性,且透过波段范围连续可调。本发明制备技术易于操作,成本低廉,易于大面积成膜,适合产业化生产。

包括光学透明的变质缓冲层区域的半导体结构,应用这种结构的器件以及制造方法。光学透明的变质缓冲层生长为可在较小的晶格常数和较大的晶格常数(反之亦然)之间提供晶格常数转变,从而允许将具有两种不同晶格常数的材料单片集成。这样的缓冲层可以包括来自元素周期表的第V族的至少两种元素。光学透明的变质缓冲层区域可以包括数字合金超晶格结构,以将材料缺陷限制在变质缓冲层中,并改善变质缓冲层的电性能,从而改善诸如光电器件和光伏电池之类的电子器件的电子特性。光子器件(例如太阳能电池和光学检测器)包含此类半导体结构。

本发明涉及一种红外探测器及其制备方法,属于探测器技术领域,该探测器包括：衬底,所述衬底包括光子晶体阵列,所述光子晶体阵列位于所述衬底的底部,所述光子晶体阵列包括n组四色探测单元,一组所述四色探测单元包括四个光子晶体组,每个所述光子晶体组包括四个不同波段的光子晶体；外延层,在所述衬底表面外延得到,所述外延层包括焦平面阵列台面,所述焦平面阵列台面位于所述外延层的顶部,所述焦平面阵列台面的凸出部分为像元；所述光子晶体阵列与所述焦平面阵列台面相对设置,其中所述光子晶体组与所述像元相对设置；其中,n为大于或等于1的整数。

本发明提供了一种单晶氧化镓基日盲紫外光电探测器及其制备方法与应用,所述制备方法包括以下步骤：(1)采用脉冲激光沉积法在衬底的表面制备单晶氧化镓薄膜,得到薄膜样品；(2)将步骤(1)所得薄膜样品进行退火处理；(3)在步骤(2)所得薄膜样品的薄膜一侧表面制备叉指电极,得到单晶氧化镓基日盲紫外光电探测器。所述光电探测器包括依次设置的衬底、单晶氧化镓薄膜和叉指电极。本发明提供的方法降低了制备难度与生产成本的同时实现了氧化镓晶相与形貌可控,提升了光电检测器的灵敏度和响应速度。