本申请提供一种混合成像探测器,包括：衬底,衬底中设置有处理电路；衬底的一侧设置有红外探测件和可见光探测件,可见光探测件位于红外探测件的远离衬底的一侧,红外探测件与可见光探测件均与处理电路电性连接；可见光探测件包括相连的第一掺杂区和第二掺杂区,第二掺杂区位于第一掺杂区的远离衬底一侧的面上,第一掺杂区和第二掺杂区形成PN结；第一掺杂区和第二掺杂区中的其中一个上间隔设有多个延伸部,且延伸部的端部插装在第一掺杂区和第二掺杂区中的另一个中。延伸部处形成了横向PN结,从而展宽了“耗尽层”厚度,以增加光吸收率。因此,本申请提供的混合成像探测器,提高了可见光感应区域对可见光的吸收率,保证混合成像探测器的性能。

本发明公开了一种红外光电探测器,涉及光电技术领域,红外光电探测器包括本征衬底层、以及位于本征衬底层一侧的纳米线、金属线和电极,由于本征衬底层和纳米线均包括锗锡材料,因此不仅增强了半导体材料本征吸收,也能够扩展中红外探测器的光响应截止波长；同时,金属线结构与纳米线结构的引入可有效提高光电探测器在红外通信波段的响应度,拓宽光电探测器的探测范围。此外,纳米线包括多条第一纳米线和多条第二纳米线、且多条第一纳米线与多条第二纳米线垂直,此种设计方式可使红外光电探测器呈对称结构,当入射光在0到360°之间变化时,红外光电探测器的光吸收性能基本上不发生变化,保证了红外光电探测器的可靠性。