本申请提供一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法,采用背入式p-i-i-n或n-i-i-p的延伸波长探测器结构,也即,所述探测器结构包括双本征吸收层结构,所述双本征吸收层结构包括晶格匹配本征吸收层和晶格微失配本征吸收层,将两种本征吸收层相结合；其中,晶格匹配本征吸收层用以提升整体量子效率,晶格微失配本征吸收层的厚度控制在晶格弛豫临界厚度范围内,以达到完全应变,显著降低失配位错缺陷,实现在扩展响应截止波长的同时也可有效抑制探测器暗电流。

本公开提供一种光学装置。光学装置包括第一导电层、第一接面层、第一光吸收层、第二接面层与第二导电层。第一接面层配置在第一导电层上。第一光吸收层配置在第一接面层上,其中光吸收层包括多个晶元格,每一晶元格包括多个柱状结构,每一晶元格的柱状结构的尺寸不同。第二接面层配置在光吸收层上。第二导电层配置在第二接面层上。

本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底,在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中,所述介质层内部具有空腔结构,所述本征层是由Ge-(1-x)Sn-(x)层和Ge-(1-y)Si-(y)层交替堆叠形成的n层结构,0＜x≤0.3,0＜y≤0.3,n≥2。本发明具有P-I-N悬挂中空结构,光被吸收后可在中空结构中反射到P-I-N结构中,相比传统探测器光的吸收率显著提升。

本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底,在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中,所述介质层内部具有空腔结构,所述本征层为Ge层。本发明具有P-I-N悬挂中空结构,光被吸收后可在中空结构中反射到P-I-N结构中,相比传统探测器光的吸收率显著提升。

本发明公开了一种级联型光电探测器及其制造方法,所述级联型光电探测器包括,衬底以及形成于衬底之上的第一光电探测器、第二光电探测器,所述第一光电探测器和第二光电探测器串联连接以实现光路和电路的同时串联。所述第一光电探测器包括依次设置的P电极、P型欧姆接触层、第一P型半导体、第一吸收区半导体和第一N型半导体；所述第二光电探测器包括依次设置的第二P型半导体、第二吸收区半导体、第二N型半导体和N型欧姆接触层；还包括分布于所述第二N型半导体两侧并与所述N型欧姆接触层相邻设置的第一N电极和第二N电极。该级联型光电探测器能够在相同尺寸下提高器件RC限制带宽,降低器件RC时间常数,降低大带宽与高饱和特性之间的矛盾。

本发明公开了一种制备InGaN外延层的方法,其单个周期内的生长源通入时序包括以下三个不分先后的步骤：在第一时间段内,持续通入In源,Ga源和N源,生长一段时间t1的InGaN；在第二时间段内,保持N源通入,In源与Ga源中断一段时间t2；在第三时间段t-(N)内,中断N源；再经过一段时间tGa和tIn后,分别通入Ga源和In源。本发明结合了表面吸附原子的调控过程,以及Ga原子表面迁移的增强过程,既通过控制生长源的中断调控了表面吸附原子的含量,抑制了失配位错的产生,又通过中断N源途中引入金属源的方法增强Ga原子迁移,阻止了堆垛层错和沟槽缺陷的形成,从而获得了缺陷密度大幅降低,结晶质量显著提高,光学性质优越的InGaN外延层。

本发明公开了一种具有非对称结的硅基探测器,包括：SOI衬底,包括：底部硅材料层；二氧化硅填埋层；顶层硅,顶层硅上形成波导层；n型轻掺杂区和p型轻掺杂区,形成在顶层硅和波导层上,n型轻掺杂区上形成有n型重掺杂区,p型轻掺杂区上形成有p型重掺杂区；光吸收层形成在波导层上,光吸收层的表面上形成有光吸收层p型轻掺杂区,光吸收层p型轻掺杂区与p型轻掺杂区电性连接；二氧化硅窗口层形成在顶层硅和波导层上；绝缘介质层形成在光吸收层和二氧化硅窗口层上；与n型重掺杂区和p型重掺杂区对应的二氧化硅窗口层和绝缘介质层上分别开有第一电极窗口和第二电极窗口；n电极形成在第一电极窗口上；p电极形成在第二电极窗口上。

本发明公开一种场效应导通沟道光电探测器,包括波导层、耗尽层和电极层。耗尽层设置于所述波导层上；所述耗尽层包括沿横向并排设置的P型半导体和N型半导体,所述P型半导体和所述N型半导体之间形成耗尽区；所述耗尽区的宽度配置成根据入射至波导层的信号光的强度动态变化。电极层,包括第一电极以及第二电极；所述第一电极以及第二电极间隔的设置在所述耗尽层上,且所述第一电极与第二电极的两端配置为在没有信号光入射时,正好与耗尽区的边缘保持平齐。本发明实现了一种通过光控制导通沟道从而控制光电流的硅基光电探测器,其具有较高的信噪比,从而能降低误码率。

提供了用于基于光子平台的光电二极管系统的静电放电防护结构。具体地,本申请提供了光电二极管组件,该光电二极管组件包括：光电二极管(如Si或SiGe光电二极管)；波导(212)(如硅波导)；以及防护结构,其中,该防护结构包括二极管,该防护结构围绕Si或SiGe光电二极管的全部周围或基本上全部周围延伸并且允许来自硅波导(212)的光传播到Si或SiGe光电二极管中。