本发明涉及通过极性半导体的热释电效应调控金属/半导体肖特基结来实现红外光电探测的方法。在极性半导体材料表面制备金属电极,在半导体表面构成肖特基结,利用紫外光激励自由电子提高半导体的红外光吸收,利用红外光激励出极性半导体的热释电电场,利用热释电电场调控异质界面的肖特基结结高来调控光电流,从而实现红外光探测。本发明操作简单,设备要求低,可实现半导体材料的大面积操作,半导体材料的表面修饰不会降低半导体材料的光响应度,可适用于多种具有极性的半导体材料。本发明的调控效果明显,器件的响应度达到了13mA/W,响应速度达到了0.5s,且器件性能具有良好的稳定性和可重复性。

本发明涉及一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法,探测器包括：氧化镓衬底、氧化镓-镓纳米粒子复合有源层、若干肖特基接触电极、欧姆接触电极和若干金属导电电极,氧化镓-镓纳米粒子复合有源层位于氧化镓衬底上,若干肖特基接触电极间隔分布在氧化镓-镓纳米粒子复合有源层的表层中,若干金属导电电极间隔分布在氧化镓-镓纳米粒子复合有源层的表面上,欧姆接触电极位于氧化镓衬底下。该探测器在紫外光照射下,镓纳米粒子产生等离激元共振效应,使其表面电场增强,散射截面增大,与氧化剂材料之间发生能量及热电子转移,大幅增强氧化镓基探测器对日盲光的探测能力,提升探测器的响应灵敏度。

本申请的光器件(100A)具备纳米结构体(11)、合金层(12)和n型半导体(13),上述纳米结构体(11)被光照射时诱发表面等离激元共振,上述合金层(12)与上述纳米结构体(11)相接,并且功函数比上述纳米结构体(11)低,上述n型半导体(13)与上述合金层(12)进行肖特基接合。上述纳米结构体(11)由选自单金属、合金、金属氮化物以及导电性氧化物中的一种构成。上述合金层(12)由至少两种金属构成。

本申请的光器件(100A)具备纳米结构体(11)、氧化物层(12)、合金层(13)和n型半导体(14),上述纳米结构体(11)被光照射时诱发表面等离激元共振,上述氧化物层(12)与上述纳米结构体(11)相接,上述合金层(13)与上述氧化物层(12)相接并且包含功函数互不相同的第一金属及第二金属,上述n型半导体(14)与上述合金层(13)进行肖特基接合。

本发明属于光电探测技术领域,具体为一种室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及制备方法。本发明的红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、正面黑硅层、硅衬底、背面黑硅层、金属层、N型硅(或P型硅)薄膜、背面电极。本发明利用黑硅在紫外-近红外波段的减反特性提高探测器近红外光的吸收；利用金属分别与硅衬底(或背面黑硅层)以及N型硅(或P型硅)薄膜形成的肖特基结吸收近红外光并产生光生载流子,并且利用硅衬底(或背面黑硅层)与N型硅(或P型硅)薄膜接触形成的PN结的结区,实现光伏效应的探测,在零偏压下探测近红外光。

本发明涉及一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极及其制备方法,该叉指电极以特定的方向位于GaN微米线阵列表面,为肖特基接触的合金电极层,该合金电极层由依次层叠的金属肖特基接触层、金属加厚层、金属黏附层和金属抗氧化层组成；形状上,该叉指电极由高纵横比的双沟道三指头和一对方形pad图形组成,其中第一和第二指头分别连接至第一方形pad图形的两端侧,第三指头连接至第二方形pad图形的中部,第一方形pad图形和第二方形pad图形相对设置,第三指头设置于第一、第二指头之间。金属层的设置提升了其与GaN微米线之间的粘附力,器件的成品率高,且高的纵横比提升了器件响应度和响应速率,降低了暗电流。

本发明涉及具有相邻阳极-阴极对的光电探测器,揭示一种用于光电探测器的结构以及制造用于光电探测器的结构的方法。该结构包括具有侧边的光吸收区域,相邻于该光吸收区域的该侧边的阳极,以及相邻于该光吸收区域的该侧边的阴极。

本发明公开了一种基于二硒化钯/薄锗肖特基结的颜色探测系统及其制备方法,该颜色探测系统是由两个上下平行放置的相同的二硒化钯/薄锗肖特基结颜色探测单元构成,当光从上颜色探测单元的上方,向下逐层照射颜色探测系统时,上颜色探测单元与下颜色探测单元的电流比随被探测光波长的增大而减小,从而可根据电流比识别被探测光的波长。本发明的颜色探测系统可探测的波长范围包括530-1650nm,跨越了整个可见光区域又涉及一部分近红外波段,且该系统具有准确性和重复性高的优点。