本发明公开了一种基于绝缘层上硅的电荷耦合器件,包括背栅极、衬底、埋层氧化层、漏极区、源极区、顶层硅沟道区、漏极金属接触、源极金属接触、正栅极氧化层和正栅极。入射光照射到器件表面时被衬底吸收,产生的少数载流子积累到由脉冲背栅形成的深耗尽势阱中,顶层薄硅耦合出与势阱中少子对应的电荷,正栅极施加电压放大光响应信号,从而有效收集载流子,实现随机、无损和高速读出；本发明可有效扩宽传统电荷耦合器件的光谱响应范围,同时改变了传统电荷耦合器件的读出方式,产生的信号直接由单个像素结构输出,且通过在正栅极施加电压对电荷积累起到增益的作用,放大器件的光响应信号,提高探测的响应速度和可靠性。

本发明公开了一种基于二维材料/绝缘层/半导体结构的宽光谱光电探测器,包括栅极、半导体衬底、绝缘层、二维材料薄膜、源极与漏极,二维材料薄膜上表面水平间隔布置有漏极与源极；半导体衬底的底部设有异质结。入射光照射到器件表面时,被半导体衬底和异质结吸收,产生的少数载流子注入积累到由脉冲栅压形成的衬底深耗尽势阱中。由于二维材料的特殊性质,其通过电容耦合有效收集载流子,输出光电流的信号,实现随机、无损和高速读出；本发明可有效扩宽光电探测器的光谱响应范围,实现从紫外光、可见光到红外光的宽光谱探测,同时改变了传统电荷耦合器件的读出方式,提高系统的响应速度和可靠性。

本发明公开了一种表面承载有组合多层膜的基板、X射线探测器及其制备方法,涉及氧化物光电功能膜材料领域。组合多层膜是指由PbO层和Ga-(2)O-(3)层组成的重复单元在一个重复频次内叠层构成的多层膜。发明人将PbO层和Ga-(2)O-(3)层进行组合,借助PbO层实现对X射线光子的强吸收,降低X射线探测器的材料厚度,Ga-(2)O-(3)层实现超低漏电流,通过组合多层膜同时实现对X射线光子的强吸收,降低X射线探测器的材料厚度,并达到超低漏电流指标。该组合多层膜同时满足了温度敏感的基板材料沉积用途。

本发明提供的短波红外探测器的制备方法,包括下述步骤：在基底上制备底电极,在所述底电极上制备吸收层,在所述吸收层上制备缓冲层,在所述缓冲层上制备窗口层,其中,在所述吸收层上制备缓冲层,具体包括：将分散于有机溶液中的量子点溶液,滴在所述吸收层上,并进行旋涂后加热至100-150摄氏度退火2-3min,得到所述缓冲层,本申请提供的短波红外探测器的制备方法,通过量子点旋涂制备缓冲层,获得与前驱体、高阻层晶格更匹配的缓冲层,形成更优异的P-N结,降低器件的暗电流,提高量子效率,获得性能更好的短波红外探测器。另外,本发明还提供了一种短波红外探测器。

本发明公开了一种双结型Ga-(2)O-(3)器件及其制备方法,所述制备方法包括：选取柔性衬底；在柔性衬底的上表面覆盖多层BN薄膜,形成第一BN薄膜层；在第一BN薄膜层上设置Ga-(2)O-(3)衬底并加热,以使Ga-(2)O-(3)衬底与第一BN薄膜层紧密贴合；在Ga-(2)O-(3)衬底上进行离子注入,形成P型Ga-(2)O-(3)层；在P型Ga-(2)O-(3)层上进行离子注入,形成N型Ga-(2)O-(3)层；在N型Ga-(2)O-(3)层的上表面生长ZnSe荧光层；在ZnSe荧光层的上表面涂覆可见光反射层；在可见光反射层的上表面两侧分别刻蚀制作源电极和漏电极；在源电极、漏电极及可见光反射层的上表面覆盖多层BN薄膜,形成第二BN薄膜层。该双结型Ga-(2)O-(3)器件具有优秀的芯片性能,能承受更高的温度和电压,能应用在大电压、大功率的设备与场景中。

本发明提供一种基于半导体集成电路工艺的混合成像探测器芯片,可以是一种单芯片集成的混合成像探测器芯片,包括衬底、支撑结构和微桥结构,其中,衬底内设置有相连接的N型区和P型区,N型区包括相连接且分别位于衬底内相对两侧的第一N型区和第二N型区,P型区包括相连接的第一P型区和第二P型区,第一P型区的第一部分位于第一N型区朝向微桥结构一侧,第二部分与第一N型区同层设置。第二P型区的第一部分位于第二N型区背离微桥结构一侧,第二部分位与第二N型区同层设置。这样可以分别从衬底的两侧注入离子以分别形成N型区和P型区,降低了N型区和P型区注入离子的工艺难度,提高了混合成像探测器芯片的成品良率,降低经济成本。

本发明提供一种与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法,与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构包括衬底、电路处理模块、微桥结构和悬垂电极组；悬垂电极组包括间隔设置的第一悬垂电极和第三悬垂电极,第一悬垂电极和第三悬垂电极均沿第一方向延伸,第一方向与微桥结构垂直,第三悬垂电极包括沟道层、源电极和漏电极,源电极和漏电极位于沟道层沿第一方向的相对两侧,第一悬垂电极作为第一栅电极,与沟道层相对设置。本发明在芯片内形成空气隙晶体管,提升对红外光强度感应的灵敏度。

本发明提供一种基于半导体双栅晶体管结构的红外传感器芯片及制造方法,涉及半导体技术领域,用于提高芯片的灵敏度,该半导体红外传感器芯片包括衬底和微桥结构,微桥结构的悬空区域与衬底之间设置有空气隙双栅晶体管,每个空气隙双栅晶体管包括沟道、两个栅电极、源极和漏极,衬底朝向微桥结构的侧面设置沟道以及源极、漏极；悬空区域包括红外吸收层和第一电引线图形层,第一电引线图形层位于红外吸收层朝向衬底的一侧,第一电引线图形层包括多条第一电引线,每条第一电引线朝向衬底的一侧设置有形变梁,形变梁背离衬底的一端与第一电引线连接,形变梁朝向衬底的一端设置栅电极,本发明提供的半导体红外传感器芯片用于对光照强度进行检测。

本发明提供一种基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片及其制造方法,涉及半导体技术领域,该基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片包括衬底和微桥结构,微桥结构设置在衬底上,微桥结构包括悬空在衬底上方的悬空区域；微桥结构的悬空区域包括晶体管层、红外吸收层和第一电引线图形层,第一电引线图形层位于晶体管层朝向衬底的一侧,第一电引线图形层包括多条第一电引线,每条第一电引线朝向衬底的一侧设置有形变梁,每个形变梁背离第一电引线的一端设置有悬垂电极,相邻两个第一电引线通过对应形变梁连接的两个悬垂电极形成第一电容。本发明提供的基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片用于检测红外光线的光照强度。

本发明公开了一种二维电子气型光电导纵向开关,包括半绝缘衬底层,半绝缘衬底层的下方依次制作有重n型掺杂区和阳极,半绝缘衬底层的上方设有外延层。本发明还公开了一种二维电子气型光电导纵向开关的制作方法,本发明提供了开关能够改善漏电流问题,并提高开关的重复频率。