本发明提供一种基于半导体集成电路工艺的混合成像探测器芯片,可以是一种单芯片集成的混合成像探测器芯片,包括衬底、支撑结构和微桥结构,其中,衬底内设置有相连接的N型区和P型区,N型区包括相连接且分别位于衬底内相对两侧的第一N型区和第二N型区,P型区包括相连接的第一P型区和第二P型区,第一P型区的第一部分位于第一N型区朝向微桥结构一侧,第二部分与第一N型区同层设置。第二P型区的第一部分位于第二N型区背离微桥结构一侧,第二部分位与第二N型区同层设置。这样可以分别从衬底的两侧注入离子以分别形成N型区和P型区,降低了N型区和P型区注入离子的工艺难度,提高了混合成像探测器芯片的成品良率,降低经济成本。
