本发明公开了一种二维电子气型光电导纵向开关,包括半绝缘衬底层,半绝缘衬底层的下方依次制作有重n型掺杂区和阳极,半绝缘衬底层的上方设有外延层。本发明还公开了一种二维电子气型光电导纵向开关的制作方法,本发明提供了开关能够改善漏电流问题,并提高开关的重复频率。

本发明提供了一种基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管,包括源极、漏极、栅极、介电层、二维黑砷磷层和金属相材料层；所述介电层设于栅极上,所述二维黑砷磷层和金属相材料层均设于介电层上,且所述二维黑砷磷层与金属相材料层连接,所述源极及漏极均设于二维黑砷磷层或者金属相材料层上,且所述二维黑砷磷层未被源极或者漏极完全覆盖；所述源极与漏极之间通过二维黑砷磷层以及金属相材料层连接。本发明基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管改善了半导体与金属电极之间的接触电阻,提升了基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管的光响应效率。本发明还提供了基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管的制备方法和光电探测器。