本发明公开了一种表面承载有组合多层膜的基板、X射线探测器及其制备方法,涉及氧化物光电功能膜材料领域。组合多层膜是指由PbO层和Ga-(2)O-(3)层组成的重复单元在一个重复频次内叠层构成的多层膜。发明人将PbO层和Ga-(2)O-(3)层进行组合,借助PbO层实现对X射线光子的强吸收,降低X射线探测器的材料厚度,Ga-(2)O-(3)层实现超低漏电流,通过组合多层膜同时实现对X射线光子的强吸收,降低X射线探测器的材料厚度,并达到超低漏电流指标。该组合多层膜同时满足了温度敏感的基板材料沉积用途。

本发明提供的短波红外探测器的制备方法,包括下述步骤：在基底上制备底电极,在所述底电极上制备吸收层,在所述吸收层上制备缓冲层,在所述缓冲层上制备窗口层,其中,在所述吸收层上制备缓冲层,具体包括：将分散于有机溶液中的量子点溶液,滴在所述吸收层上,并进行旋涂后加热至100-150摄氏度退火2-3min,得到所述缓冲层,本申请提供的短波红外探测器的制备方法,通过量子点旋涂制备缓冲层,获得与前驱体、高阻层晶格更匹配的缓冲层,形成更优异的P-N结,降低器件的暗电流,提高量子效率,获得性能更好的短波红外探测器。另外,本发明还提供了一种短波红外探测器。

本发明提供了一种太赫兹探测器,包括：衬底层；设置在所述衬底层之上的金属反射层；设置在所述金属反射层之上的介电间隔层；对称设置在所述介电间隔层之上的第一狄拉克半金属层和第二狄拉克半金属层；以及设置在所述介电间隔层之上且位于所述第一狄拉克半金属层和所述第二狄拉克半金属层之间的金属光栅层。本发明的太赫兹探测器通过设计各向异性的光学天线与狄拉克半金属层的复合结构,基于等离激元谐振腔的高偏振辨别激发、阻抗匹配耦合,把偏振方向垂直于金属光栅的入射光高效地转化成为与狄拉克半金属层充分交叠的亚波长强光场,大幅提高狄拉克半金属层的光吸收和光响应,器件具有更高偏振消光比、更高集成度、更高响应率和更低的功耗。

本发明公开了一种碲基室温太赫兹探测器件,器件具有金属-半导体-金属结构,半导体选用碲纳米片材料,选用钛和金做金属电极。Te太赫兹探测器在室温下斩波频率1kHz,172GHz的工作频率下响应时间仅为9.7μs,响应率高达600kV/W,在1V偏置和1kHz调制频率下的NEP低于0.1pW/Hz～(0)-(.)～(5)。探测器经过被两次加热至200℃20分钟再冷却后,响应基本保持不变。Te太赫兹探测器具有以下优点：1、结构简单；2、可室温工作；3、器件灵敏度高；4、响应速度快；5、稳定性好。

本发明公开了一种高探测效率自支撑CdZnTe厚膜结构、探测器件及其制备方法和应用。本发明提供的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器制备方法包括衬底预处理、CdZnTe膜的生长过程、CdZnTe膜的剥离过程、自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器的电极制作四个主要步骤。本发明方法通过在一种高热导率的单晶膜基底上生长CdZnTe厚膜,基底的高热导率能促进CZT晶粒的形核,进而获得大面积、低缺陷浓度的CdZnTe厚膜,所制得的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽玛射线探测器具备十分优异的高能辐射探测特性,在室温条件下体漏电流和噪声都较低,对伽玛射线的截止能力和探测量子效率较高,成为目前室温半导体辐射探测领域的热点。