以场效应工作为特征的,如MIS型探测器
光电探测器及其制造方法及相应的光电探测方法
本申请提供了一种光电探测器像素电路,包括探测晶体管,配置为对入射光进行探测并产生相应的光生电信号;开关晶体管,配置为接收所述光生电信号或相关信号并对其进行电学处理;所述探测晶体管和所述开关晶体管均为双栅晶体管,并且二者的衬底、底栅电极层、底栅介质层、顶栅介质层以及源极或漏极所在的导电层彼此都相应的位于同一层,并且二者的有源层都包括具有光记忆功能的相同或不同的半导体材料;其中所述探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料,所述开关晶体管的顶栅电极至少包括非透明导电材料。本申请还公开了相应的光电探测器及其制造和应用方法。

2021-09-24

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光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法
本申请提供了一种光电探测晶体管,包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极;其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料,在所述有源层中包括沟道和源漏电极,并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料;其中所述源漏电极是通过对相应区域的所述有源层材料进行等离子体处理获得。本申请还公开了相应的制备光电探测晶体管和利用其感光的方法。

2021-09-21

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