背接触型太阳能电池单元的制造方法

本发明提供一种背接触型太阳能电池单元的制造方法,该方法能够以比现有的制造方法更少的工序数进行实施。本发明涉及一种背接触型太阳能电池单元的制造方法,其依次具有以下工序：通过使用了机械硬掩模的离子注入法及活化退火,在结晶硅基板的背面,部分形成n～(+)层(20)的工序(A)；在所述工序(A)中得到的具有所述n～(+)层(20)的所述结晶硅基板(10)的两面形成钝化膜(40)的工序(B)；及,将形成在所述结晶硅基板(10)的背面侧的所述钝化膜(40)中直接覆盖了所述结晶硅基板(10)的区域的一部分或全部去除,在露出的所述结晶硅基板(50)上形成一个或多个铝电极(60B)的工序(C)。

2021-11-02

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太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件

本申请实施例涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件,太阳能电池的制备方法包括：采用激光工艺对基底背面的待激光处理区域进行处理,形成有凹凸表面的激光处理区域,待激光处理区域与待形成栅线电极区域对应；对基底背面进行抛光工艺,使激光处理区域的基底背面具有第一粗糙度,激光处理区域以外的区域为具有第二粗糙度的平坦区,第一粗糙度大于第二粗糙度；在基底背面依次形成隧穿氧化层、掺杂导电层,掺杂导电层远离基底且与激光处理区域对应的表面为凹凸表面；在基底背面形成栅线电极,栅线电极与激光处理区域对应的掺杂导电层形成电连接。本申请实施例有利于降低太阳能电池背面的接触电阻率。

2021-11-02

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一种选择性发射极的制作方法

一种选择性发射极的制作方法,属于光伏领域。选择性发射极的制作方法包括：对硅片进行扩散、局部重掺杂以及热氧化。对硅片进行扩散的步骤,使选择性发射区的掺杂元素的掺杂量低于预设值,并且能够通过热氧化而弥补。该制作方法可以减少工艺过程中的掺杂源的消耗。

2021-11-02

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光伏组件加工方法、光伏组件及滴胶装置

本申请涉及一种光伏组件加工方法、光伏组件及滴胶装置,所述光伏组件加工方法包括以下步骤：将多个电池片依次排列,所述电池片包括单层区域和叠放区域,相邻的两个所述电池片在所述叠放区域层叠放置；电连接各个所述电池片得到电池串；在相邻的两个所述电池片的叠放区域之间滴加液态封装材料,以填充所述叠放区域之间的间隙,为所述电池片在后续的层压过程中提供了缓冲作用,从而减小所述叠放区域受到挤压出现隐裂的风险,降低生产成本,简化光伏组件的加工工艺,提高了生产效率。

2021-11-02

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一种降低太阳能电池串联电阻的方法及电池制备方法

本发明公开了一种降低太阳能电池串联电阻的方法及电池制备方法,太阳能电池包括依次层叠的导电层、窗口层、吸收层、背接触层、背电极层；使用激光刻蚀P1刻线、P2刻线、P3刻线；并在P1刻线与P3刻线隔断形成的发电区激光打孔形成孔P2.1；孔P2.1打孔的数量、半径、间距的估算方法以公式A确认。本发明的碲化镉太阳能电池在打孔后并未降低太阳能电池的发电效率,使得在减少了发电面积的情况下提升了发电效率。

2021-11-02

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一种透光发电玻璃的激光刻划方法

本发明公开了一种透光发电玻璃的激光刻划方法,包括以下步骤：S1、玻璃基底层表面依次生长前电极层、发电层、背电极层,采用激光刻线完成串联；S2、采用波长为532nm的激光透过所述前电极,对所述发电层和背电极层进行激光刻划,得到透光发电玻璃；所述激光刻划的方向为垂直于S1中所述的激光刻线,所述激光刻划的透光线宽度为80～800μm。本发明提高发电玻璃的透光率以满足建筑采光需求,同时无热板效应,保证发电玻璃的使用安全。

2021-11-02

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一种N型硅片P++结构的制作工艺

本发明提供了一种N型硅片P++结构的制作工艺,采用台阶状分段升降温进行两次扩散,先在较低温度进行低温恒温第一次扩散,使硼原子均匀分布在硅片表面；而后升温并高温无氧推进,在硅片表面生成浅结轻掺杂区后,降温再进行低温第二次扩散,在硅片表面形成均匀的富硼层；通过激光SE在表面进行重掺杂,最后清洗硅表面,形成最终PN结,该PN结在SE区域为深结重掺杂,非SE区域为浅结轻掺杂；通过该制作工艺能达到降低硼源耗量、提升电性的收集效果的作用。

2021-11-02

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一种防止胶水溢漏的光伏板边框组装机

本发明涉及光伏板组装领域,尤其涉及一种防止胶水溢漏的光伏板边框组装机,包括有四角底座、开槽放置桩、异型支撑门架、异型连接块、开槽滑轨架等；四角底座顶部联接有开槽放置桩,四角底座顶部联接有两对异型支撑门架,异型支撑门架上联接有异型连接块,四异型连接块之间共同联接有开槽滑轨架。通过加固滑架,加固滑架会对组装在光伏板四周的边框进行加固,同时加固滑架可以防止组装在光伏板四周的边框上多余的胶水溢出,从而可以提高组装好的光伏板的质量,达到了能够有效地防止组装在光伏板四周的边框上多余的胶水溢出的效果。

2021-11-02

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一种量子阱及量子点材料能带结构的调控方法

本发明提供了一种量子阱及量子点材料能带结构的调控方法,包括以下步骤：步骤1,在衬底上使用真空沉积方法依次生长牺牲层、应力引入层以及量子结构薄膜功能层；步骤2,通过光刻刻蚀牺牲层的开口区域,使用湿法刻蚀或干法刻蚀将应力引入层和量子结构薄膜功能层刻蚀至牺牲层；步骤3,通过开口区域使用化学方法腐蚀部分牺牲层,释放应力引入层和量子结构薄膜功能层,经过预应力释放,应力引入层和量子结构薄膜功能层形成卷曲结构或褶皱结构；步骤4,使用超临界干燥方法,保存具有卷曲结构或褶皱结构的器件。其中,量子结构薄膜功能层为量子阱材料或量子点材料,步骤3中,通过不同的腐蚀参数获得不同的卷曲结构或褶皱结构。

2021-11-02

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一种太阳能电池及其制造方法

本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,涉及太阳能电池技术领域,用于在确保绕镀扩散层被全部去除掉的同时,增大太阳能电池的下电极与N型硅片之间的接触面积,形成良好的背面接触,提高太阳能电池的光电转换效率。所述制造方法包括：对N型硅片第一方向的一面进行硼扩散处理,在N型硅片第一方向的一面上形成依次层叠的扩散层和硼硅玻璃层、以及在N型硅片的侧面和第二方向的一面上依次形成层叠的绕镀扩散层和绕镀硼硅玻璃层。依次去除绕镀硼硅玻璃层和绕镀扩散层；并对N型硅片第二方向的一面进行制绒处理,在N型硅片第二方向的一面上形成绒面结构。对绒面结构进行顶部平坦化处理,以在N型硅片的第二方向的一面上获得顶部平坦的凸起结构。

2021-11-02

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