与硼
新型sp~(2)-sp~(3)杂化的晶态氮化硼及其制备方法
本发明涉及一种新型sp~(2)-sp~(3)杂化的晶态氮化硼及其制备方法。本发明以常见sp~(2)或sp~(3)杂化的氮化硼为原料,利用高温高压的合成方法制备出一种新型sp~(2)-sp~(3)杂化的晶态氮化硼同素异形体,其基本结构单元由sp~(2)杂化的类石墨结构单元和sp~(3)杂化的类金刚石结构单元构成,并将其命名为—Gradia氮化硼。本发明所公开的Gradia氮化硼是一类新型sp~(2)-sp~(3)杂化的晶态氮化硼同素异构体,其晶体结构可根据其内部sp~(2)和sp~(3)结构单元的尺寸和界面匹配关系而改变,具有可调的新奇物理性能。

2021-10-22

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一种雷达隐身方法
本发明涉及一种雷达隐身方法。主要是为解决目前用玻璃纤维加强聚酯树脂复合材料涂敷在低速运动武器平台表面实现雷达隐身,这种材料不能耐受高温,对高速运动的武器不合适的问题而发明的。以三氟化硼、甲烷、氢气为原料,氦为载气,生产碳化硼纳米颗粒。以三氟化硼、氨、氢气为原料,氦为载气,生产氮化硼纳米颗粒。以高纯碳化硅为原料,以氦为载气,生产碳化硅纳米颗粒。以高纯硅粉和高纯氮气为原料,以高纯氮气为载气,生产氮化硅纳米颗粒。用等离子喷镀法将上述碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅四种纳米颗粒以各种组合方式,在目标物表面喷镀一层至数层。优点是隐身性能优异,适合于高速运动武器平台的雷达隐身。

2021-10-15

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基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器及制备方法
本发明提供了一种基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器及制备方法,太赫兹波调制器包括从下往上依次设置的p型硅衬底、氮化硼薄膜、石墨烯薄膜以及红外激光束,与常规石墨烯薄膜修饰的太赫兹调制器相比,氮化硼薄膜可以极大增加石墨烯薄膜的载流子迁移率,石墨烯/氮化硼异质结构与单层石墨烯修饰硅结构相比,具有远高于石墨烯修饰硅的载流子迁移率,在相同功率激光的照射下,以氮化硼作为绝缘层的太赫兹调制器内部载流子迁移率更高,通过氮化硼与石墨烯两者的共同作用,在红外光激光激励下提高太赫兹波的光调制深度和速度,对于太赫兹波的调制能力更强。

2021-10-12

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氟化氮化硼纳米片和高性能工业润滑油脂及其制备方法
本发明公开了一种氟化氮化硼纳米片和高性能工业润滑油脂及其制备方法,将六方氮化硼纳米片与固体酸进行混合,分散到有机溶剂,并在微型反应釜中加热反应,即得到氟化氮化硼纳米片(F-BNNSs)。通过控制固体酸加入量和反应时间,可实现F-BNNSs的可控制备,获得不同氟含量的F-BNNSs。制得的F-BNNSs与润滑油脂分散剂兼容性良好,表现出比传统h-BNNSs更为优异的减摩抗磨性能,用于制备高性能工业润滑油脂,这类纳米润滑油脂能够在各种接触形式、外部环境和苛刻工况下保持优良的润滑性能。

2021-10-01

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氮化硼聚集粉末、散热片及半导体装置
本发明提供一种振实密度为0.6g/ml以上且低于0.8g/ml,且颗粒间隙容积为0.5ml/g以上的氮化硼聚集粉末。本发明提供一种包含该氮化硼聚集粉末的散热片。本发明提供可提高散热片的导热性的同时耐电压特性也良好的氮化硼聚集粉末、包含该氮化硼聚集粉末的散热片、及使用该散热片的半导体装置。

2021-09-17

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