本发明属于新型烟草技术领域,具体涉及一种发热元件及其制备方法。该发热元件包括发热体和设置在所述发热体内部的绝缘填充物；其中,所述发热体由金属硅化物及非导电陶瓷制成,所述金属硅化物与非导电陶瓷的质量之比为:0.1:1～5:1。本发明解决了发热组件在生产过程中发热性能波动差异大的问题,大幅提高成品率；同时通过本发明的方法制备的发热元件具有较优的弯曲强度和断裂韧性,从而提高发热元件的使用寿命。

提供一种包含Si系笼形化合物的Si系活性物质的制造方法,其能够在维持II型笼合物晶相的状态下减少Na元素的含量。一种Si系活性物质的制造方法,所述Si系活性物质包含具有II型笼合物晶相的Si系笼形化合物,所述制造方法的特征在于,具有：在340℃以上且低于400℃的温度下对含有Na元素和Si元素的合金进行热处理从而制备所述Si系笼形化合物的第1热处理工序；在所述第1热处理工序后,在340℃以上且低于470℃的温度下对所述Si系笼形化合物进行热处理的第2热处理工序；在所述第2热处理工序后,将所述Si系笼形化合物冷却到低于340℃的温度的冷却工序；以及在所述冷却工序后,在340℃以上且低于470℃的温度下对所述Si系笼形化合物进行热处理的第3热处理工序。

提供一种能够提高循环特性、能够降低或消除放电曲线中的平台区域、进而还能够提高高倍率特性的新的活性物质。该活性物质为含有硅和化学式M-xSi-y(其中,x和y满足0.1≤x/y≤7.0,M为Si以外的准金属元素和金属元素中的1种或2种以上)所示的化合物的活性物质,其中,Si元素的含量大于50wt％,所述M的含量小于38wt％,氧(O)元素的含量小于30wt％,由激光衍射散射式粒度分布测定法测定的D-(50)小于4.0μm、D-(max)小于25μm,在使用CuKα1射线的X射线衍射图中,在2θ＝28.42°±1.25°处出现的峰A的半高宽为0.25°以上,并且,所述峰A的峰强度I-A相对于归属于所述化学式M-xSi-y所示的化合物的峰B的峰强度I-B的比(I-A/I-B)小于1。