本发明公开了化工换热设备技术领域的一种三氯氢硅合成炉换热装置。该三氯氢硅合成炉换热装置采用分体式设计,包括冷却水供水单元,与冷却水供水机构连接的蒸汽回收单元,与三氯氢硅合成炉筒体连接的密封连接单元,对三氯氢硅合成炉换热装置进行压力检测的压力检测单元以及对三氯氢硅合成炉换热装置内混合气体输送的流出输送单元。该三氯氢硅合成炉换热装置设计合理,实用性能高,提高了合成炉控制过程中温度的控制精度,提高了三氯氢硅合成反应的收率,减少了合成炉换热管的磨损,大大提高了换热管的使用时长,并使合成炉换热装置的维修大大简便,保障了安全生产、提高了产品质量。

本发明公开了一种原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂,其包括主催化剂CuO介晶和单原子助剂M1或双单原子助剂M1、M2,且M1、M2均以单原子分散的状态存在,其中,所述M1选自Zn、Zr、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Sn、In、Ce、Ru、Pd、Au、Pt、Rh中的任意一种,所述M2选自Ni,Au,Pt或Pd中的任意一种。本发明原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂,具有优异的催化性能,用于硅粉与HCl为原料的硅氢氯化反应,能够实现对三氯氢硅和四氯化硅的选择性调控合成,同时降低了反应温度和能耗,并提高了产物收率和硅粉转化率。

本发明提出一种高纯电子级二碘硅烷的制备装置及其制备方法,涉及二碘硅烷提纯技术领域。上述制备装置包括第一反应器、第二反应器和减压精馏纯化器。第一反应器分为流化床段、油相段和碘化氢段。油相段和碘化氢段的下端连接至第二反应器。高纯电子级二碘硅烷的制备方法包括以下步骤：氮气置换；采用苯硅烷、含氧化合物催化剂和芳香族有机溶剂引发反应,生成苯硅烷层、一碘苯硅烷层和碘化氢层；持续通入苯硅烷,调节出料口和苯硅烷的流量,控制一碘苯硅烷层和碘化氢层的界面在油相段和碘化氢段的界面上；减压精馏。本发明的制备装置及其制备方法,通过隔断苯硅烷和HI的接触减少了副反应发生,提高了产物的纯度和原料转化率。

本发明提供了一种粉煤灰喷射氯化的装置及方法,所述装置包括输送进料单元、反应炉体、气力输送单元、喷吹进料单元和排渣单元,所述反应炉体自上而下划分为上部炉体、中部炉体和下部炉体三部分；所述输送进料单元与上部炉体相连,喷吹进料单元的出口连接至下部炉体,下部炉体的出口连接排渣单元；上部炉体呈圆台形,自上而下直径逐渐增大,中部、下部炉体均呈圆筒形,后者的内径小于前者。本发明通过对喷射氯化装置各结构单元的设计,尤其是反应炉体的划分、原料进料结构及排渣结构的设计,形成氯化反应稳定区域,提高氯化反应稳定性,并提高粉煤灰的反应速率及转化率,保证目标产物的质量和纯度,为粉煤灰的资源化、高值化利用提供新的方向。

本发明提供一种稳定地实施通过金属硅的氯化反应来制造氯硅烷类的方法的方法。通过金属硅的氯化反应来制造氯硅烷类时,作为所述金属硅,使用钠的含量按元素换算计为1ppm以上且90ppm以下、铝的含量按元素换算计为1000ppm以上且4000ppm以下的金属硅。所述金属硅的平均粒径优选为150～400μm左右。

本发明公开了一种氢化炉,涉及三氯氢硅生产技术领域,包括外壳和反应腔室,反应腔室设于外壳的内部,反应腔室与外壳固定连接,且两者之间形成环隙,外壳上具有与反应腔室连通的第一进料管和第二进料管。本发明通过将反应腔室设置在外壳的内部,且两者之间形成环隙,通过该结构的设置,使得氢化炉内的部件选材对材料的高温许用应力要求降低,进而可以降低设备的采购价格；同时使氢化炉外壳的使用温度降低,进而对外壳钢材的许用应力大幅提高,可以不再选用价格较高的镍基合金,氢化炉外壳温度的降低,也消除了设备运行的安全隐患；有利于氢化炉压力的提高,氢化炉外壳温度降低以后,能够解决氢化炉的提压和制备外壳的选材问题。

本发明涉及三氯氢硅除碳反应-选择性吸附耦合装置及方法。三氯氢硅、甲基二氯硅烷和氯源由原料罐通过进料泵,经预热器于底部进入反应吸附塔,甲基二氯硅烷和氯源在反应吸附塔内发生反应,转化为高沸点的物质,反应吸附塔内的吸附剂选择性不吸附甲基三氯硅烷；反应吸附塔顶部出料部分作为甲基三氯硅烷产品,进入甲基三氯硅烷产品罐,再由甲基三氯硅烷产品泵采出；甲基三氯硅烷不断采出使得甲基二氯硅烷不断反应,最终达到除碳的目的；氯源经氯源进料泵于顶部进入甲基二氯硅烷-氯源反应吸附塔,进行解吸过程,使得吸附剂可重复利用。本发明催化反应和选择性吸附同时进行,可实现连续工作,操作简单,甲基二氯硅烷的转化率可达90％以上。

本发明涉及一种含氟硅渣加硫湿法纯化提取白炭黑的方法,属于工业固体废弃物资源化利用和材料技术领域。采用氟硅酸和氢氧化铝生产氟化铝的固体废弃物-硅渣为原料,经过干燥脱水预处理后,用硫酸湿法去除硅渣中的残余铝和氟化物,制得SiO-2含量＞97%、灼烧减量＜3%、白度＞95、45μm筛余量＜0.2%、吸油值＜80g/100g白炭黑。本发明利用固废为原料,变废为宝,实现废旧资源利用。同时,本发明生产成本低,并且工艺简单,反应时间短,能耗低,达到了较高的经济效益。

本发明公开一种多晶硅合成中的四氯化硅提纯分离方法,包括：S1,将含四氯化硅的氯硅烷混合物在第一分离塔中进行分离,得到粗四氯化硅；S2,将粗四氯化硅在第二分离塔中进行分离提纯,将从第二分离塔的塔釜侧采出口采出的提纯后的四氯化硅进行回收循环利用,将杂质从第二分离塔的塔釜底部出口排出。本发明还公开多晶硅合成中的四氯化硅提纯分离装置,包括:第一分离塔,用于从通入的含四氯化硅的氯硅烷混合物中分离出粗四氯化硅；第二分离塔,与所述第一分离塔连接,用于对粗四氯化硅进行分离提纯,所述第二分离塔的塔釜具有侧采出口,以采出提纯后的四氯化硅。本发明可以将降低循环用四氯化硅中的杂质,有利于提高多晶硅产品品质。