本发明公开了一种半导体环保清洗剂的制备方法,半导体环保清洗剂包括络合剂、酸度调节剂、软化剂、有机碱、无机碱和纯水,其具体制备方法包括备料预处理、初步混合、进一步混料、最终混合配料、成品预处理和分装以上的步骤,本发明改善了传统半导体材料清洗的问题,降低了CMP后衬底晶片的表面Particle数量；对终检的无尘室晶片最终清洗影响显著,提高了晶片的通过率；本发明整道清洗制程后,对比现行的清洗效果有显著的提升,送入无尘室进行最终清洗,晶片的通过率相对原工艺提升10％～15％；整体性能良好、使用环保安全,并能降低SIC衬底晶片的颗粒污染,清洗效率高,提高了SIC衬底晶片的加工效率。