本发明属于材料领域,涉及一种利用单原子碳还原制备单质材料的方法。该方法包括：在熔体介质中,在300℃～1500℃下,有机碳源裂解成原子碳并溶解于熔体介质,所述原子碳与置于熔体介质中的单质前体化合物发生氧化还原反应,该前体化合物被还原成单质,单质在熔体介质中过饱和结晶析出,得到单质材料。本发明的方法能够在较低的温度下以较低的成本制备品质好的、自结晶生长的单质材料。