本发明属于微纳制造与光电子器件领域,公开了一种全方位成像的CsPbCl-(3)球面紫外探测器及其制备方法,该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl-(3)钙钛矿薄膜,通过所述图案化的CsPbCl-(3)钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布,并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列,即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进,得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测,大视场成像等优点,极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。

本发明属于二维材料与器件领域,公开了一种低功耗纳米SnS-(2)柔性阻变存储器及其制备方法,具体技术方案为：首先水热法合成SnS-(2)花状微米球,将其通过液相剥离法制备SnS-(2)纳米片,并将纳米片与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA高分子材料复合制备SnS-(2)/PMMA薄膜,将复合薄膜作为阻变介质层材料制备Ag/[SnS-(2)/PMMA]/Cu柔性阻变存储器。其开关比和耐受性两项参数在二维材料阻变存储器中已达到较优水平,Set/Reset电压远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用。当器件从高阻转变为低阻时,此器件的功耗极低。SnS-(2)层的厚度约为80 nm,本发明制备的导电细丝型阻变存储器的小型化具有很大潜力。

本发明属于微电子及光电子技术领域,公开了一种PbS同质结器件及其制备方法,其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5),N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接,该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的,由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进,利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结,得到一种新型的基于PbS的同质结器件,尤其可作为探测红外波段的光电探测器。

本发明揭示了一种无存储模块的湿度传感器芯片,该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU；湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极；湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容--电阻复合结构；第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻(湿敏电阻)结构,湿度敏感材料作为湿度敏感电阻(湿敏电阻)的湿度敏感材料；所述衬底是具备压电效应的晶体材料。

本发明涉及一种掩膜框结构及掩膜板制作方法,其包括掩膜框本体,所述掩膜框两端各设有焊接部,所述掩膜框两侧端面对应焊接部各开有供焊接部上下移动的凹槽,所述焊接部至少有两组升降机构带动升降,掩膜框两端的焊接部升降持平；其特征在于：所述凹槽深度大于所述焊接部高度,升降机构抬升时,焊接部的端面高于掩膜板端面；升降机构复位时,焊接部的端面低于所述掩膜板端面,采用以上技术方案确保焊接部与掩膜条焊接良率,隐藏焊接点,使基板与掩膜板贴紧,避免有机材料蒸镀时产生混色现象。

本发明公开一种掩膜板及其制作方法。其中一实施例的掩膜板包括：框架、支撑板和至少一个掩膜板单元,所述掩膜板单元具有至少一个网格区域,所述支撑板开设有对应所述网格区域的多个第一开口；对于间距大于预设距离阈值的相邻第一开口,所述支撑板在所述相邻第一开口之间的位置开设有至少一个第二开口。本发明实施例的掩膜板,能够有效改善掩膜板制作以及使用过程中出现的开口变形以及褶皱等问题,具有广泛的应用前景。

本发明提供一种掩模夹持模块、掩模拉伸装置及张网机,掩模夹持模块包括驱动组件、第一动块、第二动块以及夹持组件；第一动块在驱动组件的驱动下沿第一方向平移运动；第一动块包括第一接触面,第二动块包括与第一接触面相对布置的第二接触面,第一动块与第二动块通过第一接触面与第二接触面连接,且第一接触面和第二接触面被限制在垂直于第一接触面和第二接触面方向上的移动自由度,第二动块在第一动块平移运动的带动下沿第二方向平移运动；夹持组件与第二动块连接,并随第二动块运动,用于夹持掩模。如此配置,传动机构结构简单,减小了夹持力传动的误差,传动稳定可靠,运动精度高,提高对掩模的夹紧质量。

沉积设备(10)包含用于以大致竖直方位支撑基板(100)的第一基板支撑件(180)。基板(100)具有第一主表面(120)、相对于第一主表面(120)的第二主表面(130)、与介于第一主表面(120)和第二主表面(130)之间的侧表面(110)。沉积设备(10)包含第一沉积装置(190),第一沉积装置(190)用以在第一基板支撑件(180)以大致竖直方位支撑基板(100)时,在基板(100)的侧表面(110)上沉积第一导电图案(250)或第一抗蚀剂掩模(260)。

蒸镀掩模的制造方法包括：准备金属板以及玻璃基板的工序,在25℃以上100℃以下的温度范围内,玻璃基板的线膨胀系数与金属板的线膨胀系数之差的绝对值为1.3×10～(-6)/℃以下；经由树脂层将玻璃基板与金属板接合的工序；通过在与玻璃基板接合后的金属板形成多个掩模孔而从金属板形成掩模板的工序；将掩模板中的与树脂层所接触的面相反侧的面与掩模框架接合的工序,该掩模框架具有比掩模板高的刚性,且具有将多个掩模孔的整体包围的形状；以及从与掩模框架接合后的掩模板取下树脂层以及玻璃基板的工序。

本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法,以在单晶MgO(100)上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料,活性层形状为“十”字形,薄膜厚度为2nm～30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积,较大的反常霍尔电阻率,较小的电阻率和功耗,较宽的工作温度范围,在磁电信号转换等领域有广泛的应用。