一种等离子体磁过滤技术制备LAGP基固体电解质的方法

本发明揭示了一种等离子体磁过滤技术制备LAGP基固体电解质的方法,该方法包括以下步骤：S1：将沉积基底固定在化学气相反应室中的可旋转基座上；S2：将弧光放电源、磁过滤管、化学气相反应室进行抽取真空；S3：采用等离子对沉积基底的镀膜表面进行清洗,去除沉积基底镀膜表面的油污及杂质；S4：将弧光放电固体源引入磁过滤管中进行筛选；S5：关闭弧光放电、磁过滤电源,释放真空度,待恢复至常压状态后打开化学气相反应室取出样品,将所得样品翻转180°,重复如上步骤进行再次沉积,最终得到LAGP基固体电解质。该方法可以有效地降低LAGP与正极材料直接的界面电阻从而使其易于形成稳定的SEI膜。

2021-11-02

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一种全方位成像的CsPbCl-(3)球面紫外探测器及其制备方法

本发明属于微纳制造与光电子器件领域,公开了一种全方位成像的CsPbCl-(3)球面紫外探测器及其制备方法,该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl-(3)钙钛矿薄膜,通过所述图案化的CsPbCl-(3)钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布,并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列,即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进,得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测,大视场成像等优点,极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。

2021-11-02

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一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用

本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层,其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中,填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层,并通过活性金属扩散形成导电细丝,符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

2021-11-02

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一种PbS同质结器件及其制备方法

本发明属于微电子及光电子技术领域,公开了一种PbS同质结器件及其制备方法,其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5),N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接,该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的,由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进,利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结,得到一种新型的基于PbS的同质结器件,尤其可作为探测红外波段的光电探测器。

2021-11-02

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一种高精度双面蓝光掩膜基版及其制造方法

本发明公开了一种高精度双面蓝光掩膜基版及其制造方法,其中,该高精度双面蓝光掩膜基版从上至下依次包括：铬氮氧化物超低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物低反射膜层以及玻璃基片。该高精度双面蓝光掩膜基版及其制造方法主要为提供一个Cr靶材,通过通入气体以形成所需的膜层,在镀膜靶向及行车方向均匀性良好,经过实际检测可得出：使得该高精度双面蓝光掩膜基版的均匀性达到小于或者等于2％。

2021-11-02

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一种二氧化碳激光超硬膜及其制备方法

本发明公开了一种二氧化碳激光超硬膜及其制备方法,二氧化碳激光超硬膜的膜层结构为：SUB/aHbLcHdM/A,其中,SUB代表ZnSe基底、A代表空气、H代表Ge、L代表ZnS、M代表DLC；a、b、c和d代表每层的四分之一参考波长光学厚度的系数。本发明二氧化碳激光超硬膜,用极少的间隔膜层,得到了光学性能优良、制备重复性好、膜层附着力强、耐摩擦的激光超硬增透膜,该增透膜在10.6μm和9.4μm波段的透过率均>99.5％,满足了激光的保护窗的使用要求。

2021-11-02

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低摩擦磨损膜和其制造方法

低摩擦磨损膜(10)包括：铬层(11),形成于金属基材(1)表面；碳化钨倾斜层(14),形成在所述铬层(11)的表面上；以及作为顶层的类金刚石碳层(15),形成在所述碳化钨倾斜层(14)的表面上。所述碳化钨倾斜层(14)包含铬－碳化钨倾斜层(12)和碳化钨均匀层(13)。上述铬－碳化钨倾斜层(14)在上述铬－碳化钨倾斜层(12)与上述碳化钨均匀层(13)的边界不形成存在钨单质的钨浓缩层。

2021-11-02

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超滑骨架及其加工方法

本发明提供了一种超滑骨架及其加工方法,用于与超滑片组合构成超滑副,所述超滑片置于所述超滑骨架上,包括基底和设于所述基底上的薄膜层,所述薄膜层上设有若干个孔结构,所述薄膜层的表面是原子级平整表面,所述超滑片置于所述薄膜层上,且所述超滑片的尺寸大于所述孔结构的尺寸。本发明提供的超滑骨架,薄膜层的表面满足原子级平整,且孔结构的边缘不影响薄膜层的表面平整度,且超滑片的尺寸大于孔结构的尺寸,超滑片可以在超滑骨架上同时覆盖多个孔结构,从而可以避免超滑骨架上形成的凹凸结构影响其表面平整度,不仅有效的减小了摩擦力,且降低了对于超滑平面的加工要求,降低了加工难度。

2021-11-02

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利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用

一种利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用。利用磁控溅射在硅衬底上制备金属铪薄膜方法,包括：将硅衬底和金属铪靶材装入磁控溅射设备生长室,对硅衬底进行超高真空高温烘烤处理；利用磁控溅射反溅射干式清洗工艺对硅衬底进行表面溅射处理；利用磁控溅射沉积工艺在硅衬底上制备氮化铪阻挡层；利用磁控溅射溅射沉积工艺在氮化铪阻挡层上制备金属铪薄膜；对金属铪薄膜进行原位真空高温退火处理,降温至室温完成金属铪薄膜制备。本发明利用磁控溅射工艺在硅衬底上实现金属铪薄膜单一择优取向高结晶质量制备。所制备的金属铪薄膜可应用于欧姆接触金属电极材料或硅衬底氮化镓材料异质外延制备中的导电缓冲层材料。

2021-11-02

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一种超硬疏水自清洁薄膜的制备方法

本发明公开了一种超硬疏水自清洁薄膜的制备方法。方法包括：一、基体前处理；二、镀膜前准备；三、制备Cr/CrN周期膜；四、等离子刻蚀；五、Al-(2)O-(3)颗粒表面改性；六、有机溶液修饰制备疏水膜,得到致密均匀-超硬-疏水-耐蚀的复合薄膜。本方法将物理的沉积方法和化学浸饰的方法结合,相互取长补短,充分发挥各自的优势,磁控溅射持续稳定,制备的薄膜致密均匀,周期膜可大幅度提高复合膜层的硬度,释放应力,增加韧性。有机溶液修饰可降低表面能,提高表面的疏水性能,而且Al-(2)O-(3)颗粒表面改性后掺杂有机溶液中修饰可二次提高薄膜的硬度,效果显著。本发明用于制备超硬疏水自清洁的复合薄膜。

2021-11-02

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