本发明属于微纳制造与光电子器件领域,公开了一种全方位成像的CsPbCl-(3)球面紫外探测器及其制备方法,该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl-(3)钙钛矿薄膜,通过所述图案化的CsPbCl-(3)钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布,并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列,即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进,得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测,大视场成像等优点,极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。

本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层,其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中,填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层,并通过活性金属扩散形成导电细丝,符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

本发明提供了一种硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用,所述外延生长材料的结构是在P型Si衬底上依次生长SrTiO-(3)层、La-(0.67)Sr-(0.33)MnO-(3)层、(BaTiO-(3))-(0.5)-(CeO-(2))-(0.5)层；硅基外延生长结构是在特定温度和特定氧压的情况下,依次生长第一层SrTiO-(3)层、第二层La-(0.67)Sr-(0.33)MnO-(3)层、第三层BaTiO-(3)与CeO-(2)原子比为0.5∶0.5的(BaTiO-(3))-(0.5)-(CeO-(2))-(0.5)层。本发明所提供的硅基分子束异质外延生长方法使用激光脉冲沉积法,方法比较简单,容易控制,第一层SrTiO-(3)缓冲层的厚度可达到40nm,并实现了忆阻器功能及仿神经特性。

本发明公开了一种YAG波段超宽带激光反射膜及其制备方法,反射膜结构为：Air/Sub/SC aM bL(HL)^m cM/Air；其中,Sub代表基底；m为周期数,m≥1,为1-10的整数；H代表高折射率膜层,高折射率膜层的折射率为1.8-3；L代表低折射率膜层,低折射率膜层的折射率为1-1.5；a、b和c分别代表各膜层的光学厚度系数；M代表中折射率Al-(2)O-(3)膜层,S代表粘接层,C代表金属膜层。本发明YAG波段超宽带激光反射膜,通过膜系设计和工艺改进,在3-10mm厚玻璃基片或者硅基片的一侧表面镀制膜系实现YAG波段超宽带反射,加大了使用入射角,提高了反射率,平均反射率大于99.5％,入射角为20度-70度。

本发明公开了一种Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用脉冲激光沉积技术,以Sn掺杂的氧化镓陶瓷靶为靶材,在作为衬底的蓝宝石表面外延生长薄膜,再经退火处理,获得Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜；其中,所述靶材中Sn的摩尔百分含量为0.1～5％。本发明采用Sn掺杂的氧化镓陶瓷靶材,可以稳定调控氧化镓薄膜在α和ε相间的转变,拓宽了氧化镓介稳态晶相的制备方法；同时制备的介稳态氧化镓薄膜晶粒取向一致,结晶度高,且具有较高的生长速率。

本发明提供了一种超滑骨架及其加工方法,用于与超滑片组合构成超滑副,所述超滑片置于所述超滑骨架上,包括基底和设于所述基底上的薄膜层,所述薄膜层上设有若干个孔结构,所述薄膜层的表面是原子级平整表面,所述超滑片置于所述薄膜层上,且所述超滑片的尺寸大于所述孔结构的尺寸。本发明提供的超滑骨架,薄膜层的表面满足原子级平整,且孔结构的边缘不影响薄膜层的表面平整度,且超滑片的尺寸大于孔结构的尺寸,超滑片可以在超滑骨架上同时覆盖多个孔结构,从而可以避免超滑骨架上形成的凹凸结构影响其表面平整度,不仅有效的减小了摩擦力,且降低了对于超滑平面的加工要求,降低了加工难度。

本发明涉及薄膜制备技术领域,尤其是一种经氧等离子刻蚀的二氧化锆薄膜及其制备方法,现提出如下方案,其包括在基体上经过氧等离子刻蚀过的表面侧制备覆盖在所述表面侧的二氧化锆薄膜。本发明提出一种将基体先经过氧等离子刻蚀,再用磁控溅射实现二氧化锆在经过刻蚀基体上的表面沉积的方法,这种方法制备得到的二氧化锆薄膜性能好,尤其是经过等离子刻蚀后力学性能等到提升,表面粗糙度降低,同时制备方法简单,可以实现大规模制备。

本发明公开了一种锰锌铁氧体薄膜制备方法,所得锰锌铁氧体薄膜具有尺寸小、可加工、饱和磁化强度高,矫顽力低的优点。主要步骤为：以单晶硅片为衬底,加热后,依次以Fe-(2)O-(3)、ZnO、MnO-(2)为靶材,进行真空射频磁控溅射镀膜；真空高温烧结后,以之为衬底,加热后,依次以CaO、SiO-(2)、Nb-(2)O-(5)、ZrO-(2)、SnO-(2)、TiO-(2)、V-(2)O-(5)、P-(2)O-(5)、Ni-(2)O-(3)、Co-(2)O-(3)、MoO-(3)、Ta-(2)O-(5)、Bi-(2)O-(3)中的三种及以上为靶材,进行射频磁控溅射镀膜掺杂；真空退火后,得到锰锌铁氧体薄膜。

本申请公开了一种包括控制系统的反应溅射设备及反应溅射方法,通过采集溅射电压或功率的方式来建立闭环控制反馈机制,通过控制器改变溅射功率来准确地来调控反应氧化的阶段及靶材的氧化程度,使氧化钒的反应稳定地处于过渡模式。本申请采用调整功率控制电流稳定的方案,成膜的均匀性好,有助于规模化生产,反应对调控功率的响应速度快,无调控反应气流技术方案中滞后效应。

本发明公开一种金属双极板涂层及其制备方法,涉及氢燃料电池、电解水制氢技术,电渗析,双极膜等领域。它采用基材、打底层、抗氧化层、贵金属掺杂层的结构设计,其中打底层沉积在基材上,抗氧化层沉积在打底层上,贵金属掺杂层沉积在抗氧化层上。打底层的主要成分为钛及其铬、镍、铝、钨、铌中的一种或多种；抗氧化层的主要成分为铈、镧、铟、锡、锑、钽、铌、锰、钴、镍中的一种或多种；贵金属掺杂层的成分为钛、石墨或及其掺杂的贵金属钌、铱、铂、金、银中的一种或多种。制得的金属双极板导电性好,耐腐蚀性强,接触电阻小于3mΩ·cm～(2),腐蚀电流低于0.5μA/cm～(2),腐蚀电位大于0.5V,加速试验测试双极板涂层寿命超过10000小时,符合大规模使用要求。