本发明揭示了一种等离子体磁过滤技术制备LAGP基固体电解质的方法,该方法包括以下步骤：S1：将沉积基底固定在化学气相反应室中的可旋转基座上；S2：将弧光放电源、磁过滤管、化学气相反应室进行抽取真空；S3：采用等离子对沉积基底的镀膜表面进行清洗,去除沉积基底镀膜表面的油污及杂质；S4：将弧光放电固体源引入磁过滤管中进行筛选；S5：关闭弧光放电、磁过滤电源,释放真空度,待恢复至常压状态后打开化学气相反应室取出样品,将所得样品翻转180°,重复如上步骤进行再次沉积,最终得到LAGP基固体电解质。该方法可以有效地降低LAGP与正极材料直接的界面电阻从而使其易于形成稳定的SEI膜。

本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层,其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中,填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层,并通过活性金属扩散形成导电细丝,符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

本发明公开了一种YAG波段超宽带激光反射膜及其制备方法,反射膜结构为：Air/Sub/SC aM bL(HL)^m cM/Air；其中,Sub代表基底；m为周期数,m≥1,为1-10的整数；H代表高折射率膜层,高折射率膜层的折射率为1.8-3；L代表低折射率膜层,低折射率膜层的折射率为1-1.5；a、b和c分别代表各膜层的光学厚度系数；M代表中折射率Al-(2)O-(3)膜层,S代表粘接层,C代表金属膜层。本发明YAG波段超宽带激光反射膜,通过膜系设计和工艺改进,在3-10mm厚玻璃基片或者硅基片的一侧表面镀制膜系实现YAG波段超宽带反射,加大了使用入射角,提高了反射率,平均反射率大于99.5％,入射角为20度-70度。

本发明提供一种半导体器件表面金属化工艺,该工艺包括以下步骤：S1、对待金属化的硅片进行表面处理；S2、对表面处理后的硅片进行化学镀镍处理,在硅表面形成镍磷金属层；S3、将带有镍磷金属层的硅片放入高温炉中,通入保护气体进行高温合金,在硅片表面形成合金层；S4、采用蒸发银工艺对带有合金层的硅片进行真空蒸发,在合金层外形成银金属层,完成金属化工艺。本发明通过化学镀和蒸发镀银两者工艺结合,利用化学镀成本低的优势结合上蒸发工艺环境污染小,表面金属稳定性好,安全生产风险低等优势来实现半导体器件表面金属化。

低摩擦磨损膜(10)包括：铬层(11),形成于金属基材(1)表面；碳化钨倾斜层(14),形成在所述铬层(11)的表面上；以及作为顶层的类金刚石碳层(15),形成在所述碳化钨倾斜层(14)的表面上。所述碳化钨倾斜层(14)包含铬－碳化钨倾斜层(12)和碳化钨均匀层(13)。上述铬－碳化钨倾斜层(14)在上述铬－碳化钨倾斜层(12)与上述碳化钨均匀层(13)的边界不形成存在钨单质的钨浓缩层。

本发明公开了柔性导电卷材的生产加工系统及制备工艺,涉及基材镀膜领域；该生产加工系统包括第一真空镀膜装置,用于在薄膜基材表面形成磁控溅射镀膜；第二真空镀膜装置,位于第一真空镀膜装置后方,用于在磁控溅射镀膜上形成第一金属镀层；第一水镀装置,位于第二真空镀膜装置后方,采用碱性水镀设备,在第一金属镀层上形成过渡金属镀层；第二水镀装置,位于第三真空镀膜装置后方,采用酸性水镀设备,在第一金属镀层上形成增厚金属镀层；本发明的有益效果是：能够避免蒸镀工艺的高温因素对膜面串泡和孔洞的影响,可以有效的解决串泡问题,同时解决原蒸镀工艺的高温金属微粒将基膜击穿的孔洞问题。

一种利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用。利用磁控溅射在硅衬底上制备金属铪薄膜方法,包括：将硅衬底和金属铪靶材装入磁控溅射设备生长室,对硅衬底进行超高真空高温烘烤处理；利用磁控溅射反溅射干式清洗工艺对硅衬底进行表面溅射处理；利用磁控溅射沉积工艺在硅衬底上制备氮化铪阻挡层；利用磁控溅射溅射沉积工艺在氮化铪阻挡层上制备金属铪薄膜；对金属铪薄膜进行原位真空高温退火处理,降温至室温完成金属铪薄膜制备。本发明利用磁控溅射工艺在硅衬底上实现金属铪薄膜单一择优取向高结晶质量制备。所制备的金属铪薄膜可应用于欧姆接触金属电极材料或硅衬底氮化镓材料异质外延制备中的导电缓冲层材料。

本发明提供了一种铬减反射膜制备的方法和铬减反射膜,该方法包括：将铬靶材安装到磁控溅射机中,并对衬底进行清洁和表面活化；将衬底固定在磁控溅射机中的转台上并对磁控溅射机的真空环境进行预处理；将衬底以预设温度进行预热后进行启辉；降低磁控溅射机中的气压到预设值并以预设功率对衬底进行溅射。通过使用本发明的方案,能够节约制备成本,更易实现大尺寸铬减反射膜的制备。

本发明公开了一种超硬疏水自清洁薄膜的制备方法。方法包括：一、基体前处理；二、镀膜前准备；三、制备Cr/CrN周期膜；四、等离子刻蚀；五、Al-(2)O-(3)颗粒表面改性；六、有机溶液修饰制备疏水膜,得到致密均匀-超硬-疏水-耐蚀的复合薄膜。本方法将物理的沉积方法和化学浸饰的方法结合,相互取长补短,充分发挥各自的优势,磁控溅射持续稳定,制备的薄膜致密均匀,周期膜可大幅度提高复合膜层的硬度,释放应力,增加韧性。有机溶液修饰可降低表面能,提高表面的疏水性能,而且Al-(2)O-(3)颗粒表面改性后掺杂有机溶液中修饰可二次提高薄膜的硬度,效果显著。本发明用于制备超硬疏水自清洁的复合薄膜。

本发明涉及涂层材料的技术领域,具体涉及一种耐高温紧固件用AlN/AlScN纳米复合压电涂层及其制备方法,所述AlN/AlScN纳米复合压电涂层采用梯度层结构,由内到外依次包括结合层、支撑层、压电功能层和保护层,其中,结合层为纯金属AlSc层,支撑层为AlSc/AlScN纳米多层膜,压电功能层为AlN/AlScN纳米多层膜,保护层为AlON层。本发明的涂层具有比常规压电涂层更好的硬度、耐磨和韧性；充分利用梯度结构和纳米多层结构,形成结构和成分渐变,涂层和基体应力较低,具有好的附着力；提高了涂层的耐磨性能,同时耐腐蚀性能也大幅度提高；可以在高温时很好的保护压电复合涂层不被氧化,提高其高温稳定性。