本发明提供了一种硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用,所述外延生长材料的结构是在P型Si衬底上依次生长SrTiO-(3)层、La-(0.67)Sr-(0.33)MnO-(3)层、(BaTiO-(3))-(0.5)-(CeO-(2))-(0.5)层；硅基外延生长结构是在特定温度和特定氧压的情况下,依次生长第一层SrTiO-(3)层、第二层La-(0.67)Sr-(0.33)MnO-(3)层、第三层BaTiO-(3)与CeO-(2)原子比为0.5∶0.5的(BaTiO-(3))-(0.5)-(CeO-(2))-(0.5)层。本发明所提供的硅基分子束异质外延生长方法使用激光脉冲沉积法,方法比较简单,容易控制,第一层SrTiO-(3)缓冲层的厚度可达到40nm,并实现了忆阻器功能及仿神经特性。

本发明公开了一种Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用脉冲激光沉积技术,以Sn掺杂的氧化镓陶瓷靶为靶材,在作为衬底的蓝宝石表面外延生长薄膜,再经退火处理,获得Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜；其中,所述靶材中Sn的摩尔百分含量为0.1～5％。本发明采用Sn掺杂的氧化镓陶瓷靶材,可以稳定调控氧化镓薄膜在α和ε相间的转变,拓宽了氧化镓介稳态晶相的制备方法；同时制备的介稳态氧化镓薄膜晶粒取向一致,结晶度高,且具有较高的生长速率。

本发明涉及化学领域,公开了一种光控可逆疏水件及其制备方法,衬底层的表面具有矩形阵列分布的多个微纳结构,每个微纳结构包括氧化钒部以及形成在氧化钒部表面的光化学增强部,由于氧化钒部对可见光的吸收,将光斑聚焦到一定区域,在激光照射区域的微柱结构快速响应出非对称应力发生形变,导致该处微柱结构高度降低,液滴可进入微柱结构间间隙,变为疏水黏附态；进一步增大光强,微柱结构形变量进一步增大,液滴与表面阵列接触面积进一步增大,液滴变为亲水状态。因此,使用本发明提供的光控可逆疏水件可通过光照驱动的方式改变微纳结构的亲疏水状态,从而提高了光控可逆疏水件的稳定性。

提供带隙被充分缩小的氧化镓系半导体及其制造方法。提供一种氧化镓系半导体,具有组成由(Ga-((1-x))Fe-(x))-(2y)O-(3)(其中,0.10≤x≤0.40且0.8≤y≤1.2)表示的混晶,并且所述混晶具有β-gallia构造。另外,提供一种氧化镓系半导体的制造方法,包括采用脉冲激光沉积法来在基板表面形成组成由(Ga-((1-x))Fe-(x))-(2y)O-(3)(其中,0.10≤x≤0.40且0.8≤y≤1.2)表示的混晶的膜,在将所述基板的温度设为T℃时,所述x和所述T满足由500x+800≤T<1000表示的关系。

本发明提供了一种调控并增强LSMO薄膜磁各向异性的方法,磁各向异性可调的LSMO薄膜及其制备方法。该方法通过结构设计,利用自旋轨道耦合作用和氧八面体的旋转相结合,实现了LSMO薄膜磁各向异性的调控,并且与纯LSMO薄膜相比,该结构LSMO薄膜的磁各向异性能显著增强。此方法丰富了调控磁各向异性的材料选择和技术路径,有利于开发基于磁性氧化物新型自旋电子器件。

本发明公开一种柔性锆钛酸铅薄膜的制备方法,在沉积锆钛酸铅薄膜之前,在柔性衬底上沉积金属铂过渡层,所述锆钛酸铅薄膜的沉积方式为磁控溅射,所述锆钛酸铅薄膜的沉积温度为160～200℃。

本发明涉及一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法,属于电子元件领域。其具有(111)取向的高性能PMN-PT铁电单晶衬底,高性能PMN-PT铁电单晶衬底上表面设有外延生长特性的钙钛矿型LaVO-3反铁磁薄膜；通过控制施加在该多铁异质结构上的直流电场强度,使得高性能PMN-PT铁电单晶衬底诱导出压电应变,该应变通过刚性的外延界面传递至钙钛矿型LaVO-3反铁磁薄膜,从而实现当直流电场撤去时LaVO-3薄膜应变和电阻回到初始态,或者不会回到初始态这两种不同的状态。本方法制备反铁磁/铁电多铁异质结构方法简单,生产方便,具有广泛的实用性。

本申请提供一种水平结构布局的脉冲激光沉积系统,包括：真空腔体,包括一或多个靶材及可活动载样部件；传样腔体,与所述真空腔体连通；传样杆,其包括抓取部件；所述抓取部件抓取样品后穿过所述传样腔体后进入所述真空腔体,供所述可活动载样部件活动至与所述抓取部件对准的位置后装载所述样品。本发明的水平结构布局设计,有效避免小颗粒的回落,从而提高了薄膜生长的质量；靶材的立方体布局设计,有效避免交叉污染；所有传动结构都可密封在不锈钢保护罩内,有效避免小颗粒在齿轮间的沉积；在不破坏主腔体真空的条件下,通过更换传样杆前端的抓取头便可同时实现传样操作和更换靶材操作,操作简单,有效提高工作效率；系统稳定性提高且易于维护。

一种压电薄膜,其包含具有钙钛矿结构的氧化物,压电薄膜包含上述氧化物的正方晶1和上述氧化物的正方晶2,正方晶1的(001)面在压电薄膜的表面的法线方向上取向,正方晶2的(001)面在压电薄膜的表面的法线方向上取向,正方晶1的(001)面的间隔为c1,正方晶1的(100)面的间隔为a1,正方晶2的(001)面的间隔为c2,正方晶2的(100)面的间隔为a2,c2/a2大于c1/a1,正方晶1的(001)面的衍射X射线的峰强度为I-1,正方晶2的(001)面的衍射X射线的峰强度为I-2,I-2/(I-1+I-2)为0.50以上0.90以下。

公开了一种脉冲激光沉积装置,包括：反应腔,内部设置有用于固定基片台的支撑柱,位于基片台上方的第一加热元件和位于基片台下方的第二加热元件；多个靶机,靶机的第二端固定有靶材,靶材位于反应腔内的基片台的上方和/或下方,靶材的表面与基片台的表面形成夹角；多个激光装置,多个激光装置分别产生激光束,其中,第一加热元件和第二加热元件上分别具有缺口,激光束沿平行于基片台表面的方向直线到达靶材表面,激光束照射靶材表面形成的等离子体经由第一加热元件和第二加热元件上的缺口到达基片台表面。本申请的脉冲激光沉积装置,采用的双面斜对称沉积工艺,可以在基片台的双面都进行薄膜沉积,实现了大面积、大批量、高质量的薄膜制备。