本发明属于微纳制造与光电子器件领域,公开了一种全方位成像的CsPbCl-(3)球面紫外探测器及其制备方法,该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl-(3)钙钛矿薄膜,通过所述图案化的CsPbCl-(3)钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布,并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列,即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进,得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测,大视场成像等优点,极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。

本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层,其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中,填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层,并通过活性金属扩散形成导电细丝,符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

本发明公开了一种YAG波段超宽带激光反射膜及其制备方法,反射膜结构为：Air/Sub/SC aM bL(HL)^m cM/Air；其中,Sub代表基底；m为周期数,m≥1,为1-10的整数；H代表高折射率膜层,高折射率膜层的折射率为1.8-3；L代表低折射率膜层,低折射率膜层的折射率为1-1.5；a、b和c分别代表各膜层的光学厚度系数；M代表中折射率Al-(2)O-(3)膜层,S代表粘接层,C代表金属膜层。本发明YAG波段超宽带激光反射膜,通过膜系设计和工艺改进,在3-10mm厚玻璃基片或者硅基片的一侧表面镀制膜系实现YAG波段超宽带反射,加大了使用入射角,提高了反射率,平均反射率大于99.5％,入射角为20度-70度。

本发明公开了一种基于光学异常透射的铝孔阵列折射率传感器,它包括铝膜,所述铝膜上开设有多个圆通孔,多个圆通孔呈周期型六角密排排布在铝膜上。本发明通过合理的参数设置实现了两个等离激元模式的耦合,从而产生了透射共振峰,进而得到了一个高灵敏度的折射率传感器,通过检测待测物质的折射率实现折射率传感器性能的提高。另外本发明采用金属铝作为薄膜材料,材料成本相对低廉且易于集成。

本发明提供了一种钨铜合金的制备方法,将电子束熔炼炉抽真空,利用电子枪组件向铜原料发射电子束,使铜液化并蒸发,形成铜蒸气；利用电子枪组件向钨原料发射电子束,使钨液化并蒸发,形成钨蒸气；钨蒸气与铜蒸气混合,得到铜钨混合蒸气,经过快速冷却降温后,铜钨混合蒸气凝固成为铜钨合金。还提供了一种钨铜合金的制备设备,包括电子束熔炼炉,所述电子束熔炼炉的顶部设置有电子枪组件,底部设置有原料放置机构,侧壁设置有进料机构,所述进料机构的出料端与原料放置机构相连。电子束熔炼本身具有提纯、精炼的作用,因此本发明的铜原料和钨原料可以是低成本的回收料,成本比只使用粉末冶金降低15％以上。

本发明公开了一种基于非溶剂的钙钛矿薄膜、制备方法及应用,属于半导体材料技术领域。包括以下步骤：将一定比例的粉体原料混合后,于200～300℃处理0.5～1.5h,获得反应后的混合粉末；在真空条件下,采用电子束蒸发法,将反应后的混合粉末沉积至预设的衬底上,获得钙钛矿薄膜；将获得的钙钛矿薄膜,于100～450℃,退火5～50min,即得高质量的钙钛矿薄膜。本发明提供的方法无需溶剂参与,过程简单、可控进行CsPbBr-(3)薄膜的制备。

本发明提供了一种实现自动蒸发陶瓷靶材制备热障涂层的装置以及制备方法,所述装置包括：第一顶料组件(1)、第二顶料组件(2)、旋转组件(3)和坩埚组件(4)；在电子束物理气相沉积制备涂层的过程中,旋转组件(3)能够带动坩埚组件(4)中的靶材中按一定速度旋转,使得靶材表面被均匀蒸发；第一顶料组件(1)能带动第一坩埚(26)内的靶材上下移动,第二顶料组件(2)带动第二坩埚(27)内的靶材上下移动,实现电子束物理气相沉积过程中靶材自动更换,提高了电子束物理气相沉积涂层制备热障涂层工作效率,有利于改善双陶瓷层涂层的结构稳定性,提高制备过程的工艺稳定性。

本发明提供一种Janus微球及其制备方法和应用,所述制备方法包括：(1)采用滤膜过滤聚苯乙烯微球悬浊液,得到目标滤膜；(2)将金属沉积在目标滤膜的聚苯乙烯微球沉积层上,分离,得到所述Janus微球；所述制备方法通过过滤的方法将聚苯乙烯微球沉积在滤膜表面,得到具有聚苯乙烯沉积层的目标滤膜,可以精准控制聚苯乙烯微球沉积层的厚度,使得后续金属层沉积厚度更加精准,进而最终得到结构对称性优异的Janus微球,且所述制备方法全称没有有毒化学物质的使用,进而制备得到的Janus微球的安全性高,更加适合在医学材料和医疗器械中应用,具有重要的研究价值。

本申请涉及一种高纯深紫外镀膜用HfO-(2)材料的烧结提纯工艺,该工艺包括：提供HfO-(2)原料、Hf粉原料、分散剂和添加剂,并混合均匀得到粘稠状混合物,各组分的比例为80-90:0-20:1-10:1-10；干燥；过筛；制成坯料；脱脂并干燥；进行真空烧结,升温至1900-2400℃并保温200-300min,然后自然冷却到室温,在原料中添加Hf,保证材料中的Hf和Zr都处于亚氧化的状态,将烧结温度提高到ZrO-(2-x)相熔点以上且低于HfO-(2-x)相的熔点,在该温度下HfO-(2-x)相依然为固体,液化的Zr元素逐渐流出材料,富集在材料表面,并逐渐挥发,以实现Zr/Hf分离；同时高温烧结后的HfO-(2)结构更致密,更利于材料排出杂质,提纯得到的HfO-(2)材料中的Zr含量小于0.1％,明显提高HfO-(2)材料的深紫外光学性能和抗激光损伤性能。

本公开是关于一种电子设备壳体制备工艺、电子设备壳体及电子设备,属于电子设备加工技术领域。采用该电子设备壳体制备工艺能够兼顾壳体的良品率和外观效果。具体来说,该电子设备壳体制备工艺包括：在预制基材的一面上设置纹理层,形成中间体；对所述中间体进行热压塑形形成壳体,所述壳体的一面具有所述纹理层；在所述壳体的所述纹理层上电镀第一着色层。