本发明属于晶体合成技术领域,具体涉及一种利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,包括如下步骤：1)将钽铌酸钾晶体置于微波等离子体化学气相沉积装置的腔体中,将腔体抽真空后,通入氢气,调节氢气流量、气压和微波功率,产生等离子体包裹钽铌酸钾晶体以实现对其加热,并调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa-12kPa范围之内；2)待压强和等离子体状态稳定后,对步骤1)所述腔体内通入甲烷,控制甲烷和氢气的通入流量比,再调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa-12kPa范围之内；待通入甲烷6-9h后关闭微波源,待腔体冷却,取出样品,得到在钽铌酸钾晶体上制备的金刚石薄膜。该方法有制备工艺简单,制备金刚石膜质量高,生长速度快等优点。

本发明涉及类金刚石技术领域,特别是涉及一种类金刚石碳结构及其制备方法与应用。本发明通过在类金刚石碳结构中掺杂氮元素,提升了类金刚石碳结构中载流子的浓度,从而提升了类金刚石碳结构的导电性能,同时,通过掺杂了与氮元素质量比为(1～10):1的氧元素,不仅进一步提升了载流子的浓度,而且降低了类金刚石碳结构中的氢含量,平衡了掺氮带来的sp～(2)结构含量的增加,避免了硬度、强度等力学性能的下降,拓展了类金刚石碳结构的应用场景,尤其是大大提升了其在3C电子领域的可用性。

一种GaAs与金刚石复合散热结构的制备方法,本发明涉及金刚石膜层与GaAs连接的散热结构的制备方法,它为了解决现有GaAs器件的散热性能有待提高,GaAs在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaAs晶片；二、在洁净的GaAs晶片上镀制Si-(3)N-(4)过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaAs表面的金刚石层的热导率可以达到1500W/(mK),制备Si-(3)N-(4)过渡层不导电,有效保护GaAs器件性能,并能保护GaAs免受等离子体侵蚀。

本发明提供一种制造层叠有高品质的化合物半导体层的多晶金刚石自立基板的方法。以附着于单晶硅基板(10)上的金刚石粒子(14)为核心,通过化学气相沉积法,在单晶硅基板(10)上使厚度为100μm以上的多晶金刚石层(16)生长。此时,将多晶金刚石层的表面(16A)上的晶粒的最大粒径除以多晶金刚石层(16)的厚度的值设为0.20以下。然后,对多晶金刚石层的表面(16A)进行平坦化。然后,通过真空常温接合法或等离子体接合法,在多晶金刚石层(16)上贴合化合物半导体基板(20)。然后,对化合物半导体基板(20)进行减厚而形成化合物半导体层(22)。去除单晶硅基板(10)。如此,获得多晶金刚石层(16)作为化合物半导体层(22)的支撑基板而发挥作用的多晶金刚石自立基板(100)。

本发明公开一种金刚石涂层拉丝模具加工装置,包括反应腔室,所述反应腔室内设置有热丝组件和模具架,拉丝模具安放在模具架上,热丝组件包括从拉丝模具的通孔穿过的热丝,所述模具架设置有若干个,每个模具架分别由一个移动组件进行独立调节以在加工前和加工过程中调节热丝与拉丝模具通孔的同轴度；并且/或者,所述热丝设置有若干根,拉丝模具对应于热丝设置有若干列,每根热丝分别由一个移动组件进行独立调节以在加工前和加工过程中调节热丝与拉丝模具通孔的同轴度。本发明能够在加工前以及加工过程中实时并独立的调节热丝与拉丝模具通孔的同轴度,在实现批量生产的同时保障拉丝模具的涂层质量,还可同时加工不同尺寸规格的拉丝模具。

本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法,属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光,用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜,然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长,利用金刚石生长过程中的横向生长,得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法,解决了金刚石单晶生长面积小的问题,具有较高的发展前景跟经济价值。

本发明提供一种在机台零件上形成纳米涂层的方法,包括：清洁零件表面；提供类金刚石离子束,利用PVD工艺将类金刚石离子束沉积至零件表面,形成第一膜层；提供TiN和CrN离子束,利用PVD工艺将TiN和CrN离子束沉积至第一膜层表面,形成第二膜层；提供TiCN和TiClN离子束,利用PVD工艺将TiCN和TiClN离子束沉积至第二膜层表面,形成第三膜层；第一膜层、第二膜层和第三膜层形成纳米涂层。本发明利用PVD工艺在零件表面依序附着类金刚石的第一膜层、含TiN和CrN的第二膜层和含TiCN和TiClN的第三膜层,形成纳米级的膜层,该膜层密度大,结构紧凑,能够降低杂质颗粒的附着力,同时提高该纳米涂层的耐高温、耐腐蚀性能。

本发明公开了一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法及其产品,属于金刚石膜制备与抛光技术领域。本发明采用微波化学气相沉积法沉积出初始金刚石膜,初始金刚石膜沉积完成后进行微波等离子体刻蚀,获得金刚石膜。本发明采用无接触法对金刚石膜抛光,选择性刻蚀(111)晶面锥顶,大幅度降低金刚石膜表面的粗糙度,可用于对金刚石膜光学镜头、热沉积金刚石膜等器件的抛光,具有广阔的应用前景。

本发明公开了一种提高微波CVD窗口耐热性的复合窗口结构,包括：真空组件及固接于所述真空组件上的复合窗口组件；所述真空组件包括多个金属反射挡板及用于封盖金属反射挡板,多个所述金属反射挡板构成一密封腔室,所述密封腔室的上端通过端盖进行密封,所述金属反射挡板上一体式连接于平面板,所述平面板上开设有微波孔；所述复合窗口组件包括固定于所述平面板上的第一窗口件及固接于所述平面板远离第一窗口件一端面上的第二窗口件,所述第一窗口件与所述第二窗口件平行且间隔设置。根据本发明,自身良好的散热特点,形成一个较低温度的热屏蔽层,避免传统的微波窗口过热,可以大幅度提高微波馈入真空腔的功率值。

本发明属于材料生长技术,具体的涉及多色钻石的制备方法。采用微波等离子体化学气相沉积法生长钻石,控制不同生长阶段腔体气氛及生长后处理手段,得到多色钻石。本发明通过微波等离子体化学气相沉积法生长钻石,通过控制生长过程中不同阶段的气氛,得到不同颜色的钻石。该方法可生长单色、双色、三色甚至具有更多颜色的钻石。