本发明提出了一种用于小直径大深径比的金属管内壁改性的装置及方法,装置包括：反应腔室,待改性金属管设置在反应腔室中；反应腔室包括第一开口和第二开口,第一开口连通供气管路,第二开口连接真空泵；供气单元,用于向反应腔室内通入反应气流,供气单元通过供气管路与反应腔室连通；等离子体发生单元,位于供气单元与反应腔室之间,用于在供气管路内产生等离子体,等离子体随反应气流由供气管路进入反应腔室内；加热单元,用于对待改性金属管加热；电磁单元,产生电场和磁场,用于约束和控制进入反应腔室的等离子体束流,使等离子体在加热后的待改性金属管的内壁沉积。本发明的装置适用于低温、高长径比金属管内壁的改性。

本发明公开了一种ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统及方法,属于薄膜材料制备领域。一种ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统,包括：射频单元、反应腔和注入单元；所述射频单元通过产生交变磁场在所述反应腔的内部生成感应电流；所述反应腔的内部设置有反应座；所述反应腔与所述注入单元连接；所述注入单元包括混合罐和喷头；与现有技术相比,本发明通过在反应腔体外部加上PE功能,利用射频电源产生的交变磁场在反应腔内感应交变电流,使反应气体产生高密度等离子体,从而促进薄膜的沉积和生长；同时喷头采用特殊的流道设计,可使气体或者蒸汽均匀地传递和分散到反应腔体中。

本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置(10)具备腔室(11)、气体供给源(44)、天线(54)以及多个保持部(55)。腔室(11)在内部具有空间,利用在空间内生成的等离子体对被搬入到空间内的半导体晶圆(W)进行处理。气体供给源(44)向腔室(11)的空间内供给处理气体。天线(54)具有卷绕两圈以上的线路(540),通过由在线路(540)中流动的电流在腔室(11)的空间内形成的感应电场来在空间内生成等离子体。各个保持部(55)保持天线(54)的线路(540)。另外,保持部(55)以与相邻的其它保持部(55)之间形成规定距离以上的间隙的方式配置于天线(54)的线路(540)。