本发明涉及一种线路板用单液型剥锡液,包括以下按质量百分比计算的组分：硝酸铁4-10％,三氯化铁1-3％,柠檬酸5-15％,氨基磺酸0.5-2％,尿素0.5-1.5％,盐酸0.5-1.5％,BTA0.5-2％,68％硝酸30-40％,水40-50％。本发明还提供了上述剥锡液的制备方法。本发明的线路板用单液型剥锡液,可专用于线路板,具有退锡时烟雾小、不易沉淀、咬铜速率小的优点。

本发明公开了一TFT行业用硫酸系I TO刻蚀液,属于液晶显示器薄膜晶体管行业电子化学品技术领域,包括以下质量百分比的原料：硝酸14-17％、硫酸4-6％、醋酸9-11％、表面活性剂0.01-0.05％、助剂0.05-0.1％,余量为纯水；本发明还公开了该刻蚀液的制备方法,步骤如下：将表面活性剂和助剂进行搅拌混合,得到复配混合物；先加入2/3的纯水至配料罐,再加入硫酸、硝酸和醋酸,混合20mi n得到混合液；然后加入复配混合物,搅拌30mi n,加入剩余的纯水,搅拌1-2h,通入过滤器中过滤,滤液即为TFT行业用硫酸系I TO蚀刻液；本发明还制备了一种助剂,能够增加刻蚀液的光稳定性、润湿性以及渗透性。

本申请涉及金刚石增强金属基复合材料领域,公开了一种金刚石-金属界面结构、复合材料及制备方法,通过在金刚石颗粒与金属基体之间引入异形结构的界面层,降低金刚石与金属的界面热阻,提高金刚石与金属的界面结合强度。在异形结构界面相关制备工艺方面,通过在金刚石颗粒表面镀覆由碳化物易形成元素和活性金属元素组成的混合镀层,经高温热处理获得易形成元素的碳化物层,后经蚀刻处理去除活性金属元素,由此制得具有异形结构的界面,制备工艺简单,易实施。采用本申请的界面所制备的金刚石-金属复合材料具有较高的热导率和强度,满足大功率电子器件用热管理材料高性能、高精度的需求。

本发明公开了一种退锡水稳定剂,涉及退锡水技术领域,针对现有的部分退锡水存在氧化反应,退锡效果不理想,且容易腐蚀其他金属的问题,现提出如下方案,其包括如下组分：硝酸10％-15％、硼酸5％-10％、硝酸铁5％-10％、缓蚀剂0.1％-1％、抗氧化剂5％-10％、表面活性剂1％-3％、络合剂10％-25％、氨基酸1％-5％、尿素1％-5％、柠檬酸1％-5％和余量的水。本发明可以对退锡水进行稳定,使退锡效果更好,减少退锡水的氧化作用,同时减少退锡水对除锡铅以外的金属腐蚀性,使退锡后的金属表面光鲜亮丽,容易清洗,且产品使用的大多为天然产物,对环境的影响小,不易污染环境。

本发明公开一种片式多层瓷介电容器退锡液,片式多层瓷介电容器退锡液,包括水、无挥发性酸与间硝基苯磺酸钠,其中无挥发性酸30－100g/L,间硝基苯磺酸钠100－200g/L,无挥发性酸为无机或有机酸的其中一种,无机或有机酸为98％硫酸、85％磷酸与甲酸磺酸中的一种或多种,水为去离子水,制备过程包括以下步骤：无机或有机酸边搅拌边缓缓倒入适量去离子水中,将间硝基苯磺酸钠,加入上述溶液中,并搅拌使其完全溶解,得到混合液,在上述混合液中补加去离子水使达到所需体积。本发明以水为溶剂,酸与锡或锡的氧化物反应使其溶解,硝基苯磺酸钠加快了溶解速率,不易产生泥,材料易得,成分简单,没有硝酸、氟化物等挥发性物质,酸浓度低,不腐蚀产品。

本发明公开了一种银的细微图形化蚀刻方法,包括抛光、清洁、镀氧化膜/银、旋涂光刻胶、分别用第1道的银蚀刻液和第2道银蚀刻液进行蚀刻、经去胶液清洗得到Ag金属网格。本发明工艺简单,可以得到线径小于5um的银图案,对银的蚀刻均匀,图形化线性度高,所得银金属网格附着好,网格不易发生漂移。

本发明涉及蚀刻组合物,其可用于,例如,从半导体基材选择性地移除氮化钛(TiN),且实质上未形成氧化钴氢氧化物层。本发明基于不可预期地发现：某些蚀刻组合物可选择性地蚀刻TiN且不会在半导体装置的Co层上形成CoOx氢氧化物层,从而使后续Co蚀刻没有延迟。

本发明属于解焊剂领域,公开了一种解焊剂及其制备方法,包括以下浓度的原料：氟硼酸2.5mol/L和双氧水0.5mol/L,制备方法为：将氟硼酸和双氧水放置到混合设备中,搅拌均匀即可得到解焊剂。本方案基于氟硼酸-双氧水体系的解焊剂,能将焊锡的熔点从约150摄氏度降至50摄氏度,可在分离桶中批量高效、安全的拆解含高价值元件的废旧电路板,回收效率高,且本方案解焊剂的原料试剂本身易于回收、能反复利用,是一种比较理想的解焊剂成分。