本发明属于功率半导体生产技术领域,尤其为一种陶瓷衬底蚀刻残留物的去除蚀刻液及蚀刻方法,所述所述蚀刻液包括蚀刻液A和蚀刻液B,蚀刻液A和蚀刻液B包含过氧化氢、氨水、硫酸、结构含有羟基、羧基及其盐类、有机胺以及表面活性剂中的一种或多种组合物,所述蚀刻液用于对铜蚀刻后覆铜陶瓷衬底的焊料残留物及接合层进行去除。本发明摒弃了使用传统的硝酸体系、氰络物复盐体系、蚀刻液中不含氰及磷,可有效去除铜蚀刻后残留的蚀刻焊料,制得的覆铜陶瓷衬底具有使用寿命长的优点,且蚀刻时对铜腐蚀小,蚀刻彻底,铜表面状态好。