本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法,通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器,接着将缓蚀剂2-巯基苯并噻唑(MBT)负载到存储器中,制成MBT/植酸自修复体系。相比于传统的有机涂层掺杂存储器的制备方式,本发明中制备的植酸微裂纹存储器既可以为镁合金提供被动的腐蚀防护,又可以利用自身的微裂纹作为负载缓蚀剂的存储器。此外,通过控制溶液浓度、真空度、浸渍时间以及冲洗方式在植酸微裂纹存储器中负载缓蚀剂MBT制成的具有自修复功能的体系,不仅节约了成本,简化了制备过程,而且解决了存储器与有机涂层相容性差、缓蚀剂负载量低等问题。

本发明公开了一种硅腐蚀液,包括以下重量份的原料：氢氟酸8-12份、硝酸70-78份、去离子水15-25份、复合缓蚀剂6-13份。且本发明利用了吡啶-4-甲醛为底物,使其与甲苯、高锰酸钾、二乙烯三胺、硫脲逐步反应形成了复合缓蚀剂；该复合缓释剂通过分子中的氮原子、硫原子、分子机构的大π键与金属形成配位键或化学共价键,在金属表面形成一层致密的疏水膜,阻碍了溶液中的氢离子对金属的腐蚀,但是该复合缓释剂中的的氮原子、硫原子、分子机构的大π键不能与硅形成配位键或共价键,不能在硅表面形成保护膜,不影响腐蚀液对硅的腐蚀行为,实现了对硅腐蚀高效,同时对金属腐蚀低效。