基于半导体集成电路的混合成像探测器芯片及制备方法

本申请实施例提供一种基于半导体集成电路的混合成像探测器芯片及制备方法,涉及半导体技术领域,该混合成像探测器芯片包括基底、反射层和微桥结构,反射层包括相互绝缘且位于同一层的第一反射层和第二反射层；微桥结构包括第一桥梁、第二桥梁和桥面,桥面的电极层包括相互绝缘设置的第一电极层和第二电极层。本申请实施例通过使第一电极层与第一反射层和第二反射层中之一连接,第二电极层与第一反射层和第二反射层中另一个连接,使得第一反射层与第一电极层或者第二电极层上电子均衡,第二反射层与第二电极层或者第一电极层上的电子均衡,防止反射层与电极层之间产生静电吸附作用,进而避免微桥结构发生坍塌,提高了混合成像探测器芯片的良率。

2021-11-02

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一种用于扩展薄膜型红外器件特定方向视场的装置

本发明公开了一种用于扩展薄膜型红外器件特定方向视场的装置。包括n个红外器件光敏感元和信号处理输出设备,其中,所述n个红外器件光敏感元分别并列拼接,n个红外器件光敏感元并联于信号处理输出设备,n≥2。本发明克服了目前所能制备的薄膜型红外器件视场小的缺点,降低了制备表面积较大的薄膜型红外器件的难度,一定程度上节省了生产成本。

2021-11-02

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红外探测器的自适应调整方法及装置

本申请涉及红外探测器的自适应调整方法,包括：通过多个环境温度下对红外探测器进行OCC参数标定,获得与多个环境温度对应的多组OCC标定参数,以及多组OCC标定参数对应的标定时的多个红外设备内部环境温度；根据多个红外设备内部环境温度确定出相邻红外设备内部环境温度间的临界温度值；各个临界温度值构成了多个温度区间；确定红外探测器工作时检测的当前红外设备内部环境温度,根据该当前红外设备内部环境温度所在的温度区间,获取该温度区间对应的OCC标定参数,红外探测器使用该OCC标定参数并输出图像。本方法既能保持红外探测器的高灵敏探测模式,又能够适应宽温度范围成像的需求。

2021-10-29

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混合成像探测器

本申请提供一种混合成像探测器,包括：衬底,衬底中设置有处理电路；衬底的一侧设置有红外探测件和可见光探测件,可见光探测件位于红外探测件的远离衬底的一侧,红外探测件与可见光探测件均与处理电路电性连接；可见光探测件包括相连的第一掺杂区和第二掺杂区,第二掺杂区位于第一掺杂区的远离衬底一侧的面上,第一掺杂区和第二掺杂区形成PN结；第一掺杂区和第二掺杂区中的其中一个上间隔设有多个延伸部,且延伸部的端部插装在第一掺杂区和第二掺杂区中的另一个中。延伸部处形成了横向PN结,从而展宽了“耗尽层”厚度,以增加光吸收率。因此,本申请提供的混合成像探测器,提高了可见光感应区域对可见光的吸收率,保证混合成像探测器的性能。

2021-10-29

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压电谐振红外传感器、其阵列及其制造方法

本发明涉及一种压电谐振红外传感器、其阵列及其制造方法。压电谐振红外传感器包括：基底、电极和压电材料,其中,所述压电材料的上表面上形成有量子点薄膜,所述量子点薄膜能响应于红外光照射而加快所述压电材料的温度上升。本发明提高了压电谐振红外传感器对红外光的探测率,降低了噪声,并且实现了对红外光波长的准确探测。

2021-10-29

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基于半导体CMOS工艺的红外传感器芯片及其制备方法

本申请实施例提供一种基于半导体CMOS工艺的红外传感器芯片及其制备方法,涉及半导体技术领域,用于解决相关技术中去除牺牲层时,易对微桥结构和梁结构造成损伤的技术问题,该制备方法包括提供基底,基底上具有第一牺牲层；形成梁结构和微桥结构；形成覆盖梁结构和微桥结构的第二牺牲层；去除第一牺牲层和第二牺牲层。本申请实施例通过形成覆盖梁结构和微桥结构的第二牺牲层,利用第二牺牲层对梁结构和微桥结构的侧面进行防护,防止在去除第一牺牲层时对梁结构和微桥结构造成损伤,提高红外传感器芯片的性能。

2021-10-26

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一种基于半导体集成电路工艺的混合成像探测器芯片

本发明提供一种基于半导体集成电路工艺的混合成像探测器芯片,可以是一种单芯片集成的混合成像探测器芯片,包括衬底、支撑结构和微桥结构,其中,衬底内设置有相连接的N型区和P型区,N型区包括相连接且分别位于衬底内相对两侧的第一N型区和第二N型区,P型区包括相连接的第一P型区和第二P型区,第一P型区的第一部分位于第一N型区朝向微桥结构一侧,第二部分与第一N型区同层设置。第二P型区的第一部分位于第二N型区背离微桥结构一侧,第二部分位与第二N型区同层设置。这样可以分别从衬底的两侧注入离子以分别形成N型区和P型区,降低了N型区和P型区注入离子的工艺难度,提高了混合成像探测器芯片的成品良率,降低经济成本。

2021-10-26

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与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法

本发明提供一种与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法,与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构包括衬底、电路处理模块、微桥结构和悬垂电极组；悬垂电极组包括间隔设置的第一悬垂电极和第三悬垂电极,第一悬垂电极和第三悬垂电极均沿第一方向延伸,第一方向与微桥结构垂直,第三悬垂电极包括沟道层、源电极和漏电极,源电极和漏电极位于沟道层沿第一方向的相对两侧,第一悬垂电极作为第一栅电极,与沟道层相对设置。本发明在芯片内形成空气隙晶体管,提升对红外光强度感应的灵敏度。

2021-10-26

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基于半导体双栅晶体管结构的红外传感器芯片及制造方法

本发明提供一种基于半导体双栅晶体管结构的红外传感器芯片及制造方法,涉及半导体技术领域,用于提高芯片的灵敏度,该半导体红外传感器芯片包括衬底和微桥结构,微桥结构的悬空区域与衬底之间设置有空气隙双栅晶体管,每个空气隙双栅晶体管包括沟道、两个栅电极、源极和漏极,衬底朝向微桥结构的侧面设置沟道以及源极、漏极；悬空区域包括红外吸收层和第一电引线图形层,第一电引线图形层位于红外吸收层朝向衬底的一侧,第一电引线图形层包括多条第一电引线,每条第一电引线朝向衬底的一侧设置有形变梁,形变梁背离衬底的一端与第一电引线连接,形变梁朝向衬底的一端设置栅电极,本发明提供的半导体红外传感器芯片用于对光照强度进行检测。

2021-10-26

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基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片及其制造方法

本发明提供一种基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片及其制造方法,涉及半导体技术领域,该基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片包括衬底和微桥结构,微桥结构设置在衬底上,微桥结构包括悬空在衬底上方的悬空区域；微桥结构的悬空区域包括晶体管层、红外吸收层和第一电引线图形层,第一电引线图形层位于晶体管层朝向衬底的一侧,第一电引线图形层包括多条第一电引线,每条第一电引线朝向衬底的一侧设置有形变梁,每个形变梁背离第一电引线的一端设置有悬垂电极,相邻两个第一电引线通过对应形变梁连接的两个悬垂电极形成第一电容。本发明提供的基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片用于检测红外光线的光照强度。

2021-10-26

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