本发明涉及一种发光芯片失效原因背面分析方法。该方法包括：S10、研磨抛光N电极上与光波导对应位置的金属陶瓷层,使光波导对应位置的N电极裸露；S20、在N电极上设置测试连接点,且测试连接点位于光波导在N电极的对应区域之外；S30、供电电路的正极连接P电极上的键合金属线,供电电路的负极连接测试连接点,供电电路提供供电电压以使发光芯片发光；S40、使用光检测设备检测发光芯片背面发出的光,根据获取光确定发光芯片的失效区域。本发明解决了光芯片表面覆盖金属层导致失效现象无法显现的问题,提高光芯片失效分析的准确率。