一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块

本发明公开了一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块,包括由上至下依次连接的驱动器电路层、细节距微凸点垂直传输层和大电流PMOS管电路层。在Z轴方向上集成了大电流PMOS管芯片和驱动器芯片,通过细节距微凸点垂直传输层实现二者的互联,能够通过外部的高低电平信号实现对射频组件中放大器的电源调制。本发明可应用于微波组件中各类放大器的电源调制方案中,具有高集成、小型化和低成本等优势。

2021-11-02

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半导体封装及其制造方法

本发明提供了一种半导体封装及其制造方法,包括：基板,包括围绕芯片安装区的多个阻挡结构；芯片,倒装焊接在芯片安装区上；第一密封剂,在芯片安装区上包覆芯片；第二密封剂,在基板上包覆第一密封剂。依照本发明的半导体封装及其制造方法,在基板上每个芯片周围采用阻挡结构防止湿气渗透、增强粘合力并同时防止密封剂溢流,从而有效地提高了封装的可靠性。

2021-11-02

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半导体设备封装和其制造方法

提供了一种半导体设备封装和用于制造所述半导体设备封装的方法。所述半导体设备封装包含第一衬底、第二衬底和互连件。所述第二衬底布置在所述第一衬底上方并且具有开口。所述互连件穿过所述开口并且连接到所述第一衬底和所述第二衬底。

2021-11-02

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溢出式凸块封装结构及其制备方法

本发明的实施例提供了一种溢出式凸块封装结构及其制备方法,涉及半导体封装技术领域,该溢出式凸块封装结构包括基底芯片、布线组合层、金属凸块、第一介质层、导电胶膜层和第二介质层,第一介质层包覆在金属凸块周围,能够起到保护金属凸块免受水汽、离子污染、辐射或其他不利的环境,对金属凸块起到缓冲保护的作用。通过设置导电胶膜层,在实际热压焊时,导电胶膜层能够起到缓冲作用,避免应力影响导致的UBM以及RDL布线隐裂的问题,提升了器件的可靠性。并且导电胶膜层在受到压力后挤压至凹槽开口内,通过热压焊实现焊接,由于凹槽开口的容置作用,能够避免导电胶膜材料大量溢出至外部而导致桥接的问题。

2021-11-02

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扇入型半导体封装装置及其制造方法

本公开提供了扇入型半导体封装装置及其制造方法,通过设计芯片的导电柱和导电垫不重叠,即分开设计导电柱和导电垫,可以避免放置芯片的力量较大可能导致的线路断裂和脱层的问题；通过设计缓冲层,在后续将扇入型半导体封装装置设置到衬底(例如,基板、主板、印刷线路板等)的过程中,焊料凸块的应力可以通过缓冲层进行释放,进而减少焊料凸块断裂的风险,提高产品可靠性。

2021-11-02

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半导体封装及其制造方法

本发明提供了一种半导体封装及其制造方法,包括：基板,顶面具有多个基板焊盘；芯片,底面具有多个芯片焊盘；多个堆叠结构,每个堆叠结构包括凸块和焊球,分别将多个基板焊盘的一个与多个芯片焊盘的相对应一个电连接；多个第一柱体,在芯片底面的边缘处,与基板顶面上的多个对准标记或者多个第二柱体在竖直方向上对准；密封剂,包裹芯片、多个堆叠结构、多个第一柱体和/或多个第二柱体。依照本发明的半导体封装及其制造方法,在芯片底部设置定位柱体,与基板上的定位柱体结合使用,在回流焊接过程中有效地预防焊锡熔融过大,提高了焊接可靠性和对准精度。

2021-11-02

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一种半导体复合散热材料的封装结构及其制造方法

本发明涉及半导体复合散热材料的封装结构技术领域,且公开了一种半导体复合散热材料的封装结构及方法,包括载体,所述载体的为矩形的块,且载体的内部固定安装有芯片,所述载体的前后左右四侧外壁面上分别固定安装有引脚,该半导体复合散热材料的封装结构及方法,薄的芯片更有利于散热,减小芯片封装体积,提高机械性能、硅片减薄、其柔韧性越好,受外力冲击引起的应力也越小,晶片的厚度越薄,元件之间的连线也越短,元件导通电阻将越低,信号延迟时间越短,从而实现更高的性能,减轻划片加工量减薄以后再切割,可以减小划片加工量,降低芯片崩片的发生率。

2021-11-02

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晶片尺寸封装

本申请公开了一种晶片尺寸封装,包括：一晶片,具有一正面及一背面,其中正面具有一主动区域。一金属层,形成于背面,且大于主动区域的投影,适于一电流在金属层流动。金属层具有四个边缘,其中至少一边缘具有一键缺口,其中键缺口的凹陷方向若与电流方向平行,则键缺口与主动区域的投影不产生干涉。一封装材料,形成于背面,至少包覆金属层的边缘。本申请的晶片尺寸封装可以改善金属层与封装材料的连接性,提高封装的可靠度,也可以避免毛边的产生。

2021-11-02

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电子封装件及其制法

本发明涉及一种电子封装件及其制法,通过于封装模块的外围部形成阶梯状凹部,以利于释放应力。

2021-11-02

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一种单片集成芯片及其应用

本发明涉及一种单片集成芯片及其应用,所述单片集成芯片包括印制电路板,发光二极管,光电传感器,衬底和抗菌涂层；所述发光二极管和光电传感器并排设置于所述印制电路板上；所述衬底设置于所述发光二极管和光电传感器上；所述抗菌涂层包覆于所述发光二极管,光电传感器和衬底表面；所述单片集成芯片的尺寸为微米级。本发明所述单片集成芯片体积小,价格便宜,灵敏度和稳定性高,而且可持续工作时间长。

2021-11-02

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