本发明涉及半导体复合散热材料的封装结构技术领域,且公开了一种半导体复合散热材料的封装结构及方法,包括载体,所述载体的为矩形的块,且载体的内部固定安装有芯片,所述载体的前后左右四侧外壁面上分别固定安装有引脚,该半导体复合散热材料的封装结构及方法,薄的芯片更有利于散热,减小芯片封装体积,提高机械性能、硅片减薄、其柔韧性越好,受外力冲击引起的应力也越小,晶片的厚度越薄,元件之间的连线也越短,元件导通电阻将越低,信号延迟时间越短,从而实现更高的性能,减轻划片加工量减薄以后再切割,可以减小划片加工量,降低芯片崩片的发生率。

本发明公开了一种HEMT器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,本发明的HEMT器件,包括衬底以及在衬底上形成的异质结,异质结上设置源极、漏极和栅极,源极和漏极之间用于形成导电沟道,源极和漏极通过导电沟道连接,栅极上沿垂直于导电沟道的方向设置有热敏电阻条,热敏电阻条与栅极之间通过第一绝缘层绝缘,热敏电阻条的两端用于外接电极以根据热敏电阻条的电阻率反映导电沟道的温度。本发明提供的HEMT器件,能够实现高精度、实时的沟道温度探测。

本发明提供了一种封装结构的IGBT功率模块及其工作方法,包括散热组件和温度监测组件,在I GBT模块工作过程中产生的热量通过I GBT模块上设置的散热基板进行散热,同时散热组件增强I GBT模块的散热能力,在I GBT模块芯片的温度超过105℃时,散热组件中设置的制冷片开始工作,增强散热组件的散热能力,在I GBT模块芯片的温度超过150℃时,温度监测组件断开I GBT模块的电源同时发送警报数据到云端,云端发送警报信号到客户端,工作人员通过客户端接收到警报信息后对I GBT模块进行处理,解决了目前I GBT模块存在的芯片过热容易导致I GBT模块损坏,在I GBT模块出现异常过热情况时不能及时对I GBT模块进行处理,容易导致I GBT模块损坏的问题。

本发明提供了一种半导体器件及其组件,包括内嵌于半导体器件中的多个第一导光结构和至少一个第二导光结构,多个第一导光结构与至少一个第二导光结构相互连接且间隔排布,其中,第二导光结构适于将温度信息转化为变化的光信号；以及第一导光结构适于约束光信号以形成直线、折线或曲线的测量光路,并且多个第一导光结构中至少一者的一端适于通过提供测量光路中的光信号以温度信息。本发明的一种半导体器件及其组件可以便于单个或多个半导体器件内单点或多点温度的测量,应用范围广,可靠性强。

本发明涉及半导体测试领域,具体涉及一种硅基片式收发组件温度应力场测试方法,包括如下步骤：制作下绝缘层、制作应力传感单元、制作上绝缘层以及引线、堆叠互连、应力测试、温度和应力值输出。本发明的优点在于：相对于现有技术,即使是封装或组装后的组件内部温度也可测试,能够实现组件内部或表面应力场的高精度测量,且应力分布结果精度较高。

本发明提供一种集成电路的温度感测装置。集成电路包括堆叠的多个金属导线层,且温度感测装置包括第一金属片、第一通孔与第二通孔。第一金属片配置于这些金属导线层中的第一金属导线层与第二金属导线层之间。第一通孔与第二通孔用以连接第一金属片与第一金属导线层,其中,温度感测信号通过第一通孔进入第一金属片且通过第二通孔离开第一金属片以测量集成电路的温度。上述的温度感测装置不仅具有结构简单且制造容易的优点,还能精准测量集成电路的内部温度。

本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。该结构包括重新布线层、第一天线层、第一导电柱、第一塑封材料层、第二天线层、第二导电柱、第二塑封材料层、第三天线层、金属凸块及芯片；第一天线层位于重新布线层的上表面；第一导电柱位于第一天线层的上表面；第二天线层位于第一塑封材料层的上表面；第二导电柱位于第二天线层的上表面；第二塑封材料层位于第二天线层的上表面；第三天线层位于第二塑封材料层的上表面；金属凸块位于重新布线层的下表面；芯片位于金属凸块的下表面。本发明可以实现芯片和多个天线层在垂直方向上的互连以确保上下层良好导通,有助于缩小封装结构的体积,提高器件集成度和性能,同时有助于降低成本。

本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。该结构包括基底、光热转换材料层、重新布线层、第一天线层、导电柱、塑封材料层、第二天线层、金属凸块及芯片；光热转换材料层位于基底的上表面；重新布线层位于光热转换材料层的上表面；第一天线层位于重新布线层的上表面；导电柱位于第一天线层的上表面；塑封材料层将第一天线层及导电柱包覆,导电柱的上表面暴露于塑封材料层的上表面；第二天线层位于塑封材料层的上表面；金属凸块位于第二天线层的上表面；芯片位于金属凸块的上表面。本发明可以实现芯片和多个天线层在垂直方向上的互连以确保上下层良好导通,有助于缩小封装结构的体积,提高器件集成度和性能,同时有助于降低生产成本。

本发明公开了一种基于纳米磁流体的芯片热点冷却系统,属于芯片散热领域,该系统包括微通道主冷却单元、辅助冷却单元、冷水机组和系统控制器,微通道主冷却单元包括主微通道换热器、电磁阵列和纳米磁流体冷却液,冷水机组为芯片的整体散热提供冷量；电磁阵列形成磁场区域,利用纳米磁流体的磁热效应为芯片热点提供额外制冷量；辅助冷却单元包括辅微通道换热器和换热流体,用于带走纳米磁流体励磁时产生的热量。系统控制器包括控制单元、温度传感器和直流电源,可以动态监测芯片热点位置和温度,并通过调节磁场强度实现不同热点的定点动态散热。本发明能以较小的能耗实现芯片热点的快速冷却,有效预防芯片的局部热失效,提高芯片表面温度的均匀性。